韩媒称“三星、SK海力士预计今年继续减产NAND闪存”,以追求利润最大化
华尔街见闻·2026-01-20 08:45

核心观点 - 尽管AI需求激增,韩国存储芯片巨头三星电子和SK海力士计划继续削减NAND闪存产量,旨在通过控制供应推动价格上涨,以改善该业务的盈利能力,并抓住AI驱动的存储芯片超级周期实现利润最大化 [1][3][4] - 资本支出优先转向高利润的DRAM(特别是HBM),以及向四层单元技术转换带来的自然产量损失,共同促成了NAND的减产决策 [3] - 行业研究机构预计NAND价格将从第一季度开始全面大幅上涨,供应增长低于近年平均水平,AI服务器等领域可能出现短缺 [4] - 行业高景气已转化为公司历史性利润,两家公司正在发放创纪录的绩效奖金,直接反映了AI芯片(如HBM)需求激增带来的盈利能力显著提升 [2][5][6] 公司生产策略与市场影响 - 三星电子NAND减产:2024年NAND晶圆产量将从2023年的490万片降至468万片,甚至低于2024年减产水平 [1] - SK海力士NAND减产:2024年NAND晶圆产量将从2023年约190万片降至170万片 [1] - 市场主导地位:两家公司合计占据全球NAND闪存市场超过60%的份额 [1] - 资本支出转向:削减NAND产量反映出资本支出优先级已转向盈利能力最高的DRAM [3] - 技术转换影响:从三层单元向四层单元技术转换过程中,因设备安装、稳定期和初期良率等因素,会出现自然产量损失 [3] - 高管态度:公司高管认为没有理由急于增加NAND产量,减产带来的收益在2024年将达到最大 [3] 市场需求与价格展望 - AI驱动新需求:英伟达下一代AI加速器“Vera Rubin”SSD容量达1152TB,是现有“Blackwell”的10倍以上,预计2024年出货3万台,2025年达10万台,将在2026年和2027年分别创造3460万TB和1.152亿TB的新增需求 [1] - 价格涨幅预测:TrendForce预计2024年第一季度NAND闪存合约价格将较上季度上涨33%至38% [4] - 供应增长放缓:IDC预测2024年NAND供应增长率在17%左右,低于近年平均水平 [4] - 潜在短缺风险:主要供应商的供应控制可能加深AI服务器、移动设备、PC等各领域的短缺 [4] 公司财务表现与员工激励 - 三星电子奖金:半导体部门Device Solutions符合条件的员工将获得相当于基本年薪47%的奖金,接近公司内部50%的上限,与2023年该部门奖金率为零形成对比 [2][6] - SK海力士奖金:公司取消10个月基本工资上限,改为将营业利润的10%用于利润分享计划,基于预计45万亿韩元的全年营业利润和33000名员工,平均奖金预计将超过1.4亿韩元,创历史新高 [2][6] - 利润驱动因素:大手笔分红直接反映了HBM等AI芯片需求激增带来的盈利能力显著提升 [5] - 产能转向影响:产能大规模转向HBM生产(其消耗的晶圆产能约为标准DRAM的三倍),导致DDR5等通用存储器供应紧张,推动整体价格上涨,带来双重利润增长动力 [6]