行情表现 - 存储板块早盘逆市上涨，佰维存储涨超8%至190.50元，通富微电涨7.01%至51.57元，普冉股份、朗科科技等多股跟涨 [1] - 澜起科技涨5.11%至146.00元，聚辰股份涨4.39%至160.35元，德明利涨4.02%至282.93元，北京君正涨3.43%至129.89元，太极实业涨3.29%至9.73元 [2] 核心驱动事件 - 美光科技运营执行副总裁表示，AI基础设施需求激增导致存储芯片短缺加剧，供应紧张态势将延续至2026年之后，传统消费电子领域因产能转向高端产品面临严重短缺 [3] - 合计占据NAND产能60%以上的三星电子和SK海力士计划缩减闪存投片量以追求利润最大化，可能进一步加剧NAND供应短缺 [3] - 美银证券报告指出，全球存储行业转向“高利润、稳价格、弱周期”运营模式，1月上半月DDR4与DDR5现货价格周涨约10%，16Gb DDR4年涨幅达2315% [3] - 存储内存条价格大幅上涨，16G内存条价格从一年前的300余元涨至超1100元，其他规格涨幅达2-3倍 [3] - DeepSeek Engram将AI大模型的存储战场转移至性价比更高的DDR5+NVMe体系，在降低部署成本的同时进一步拉动NAND存储需求 [3] 行业供需与价格展望 - 存储器大厂美光表示，晶圆厂扩建缓慢及客户认证流程繁复，当前短缺局面不太可能在2028年前得到缓解 [4] - 本轮存储涨价核心源于AI需求爆发与供给收缩的双重共振，行业景气度有望持续至2026年底 [4] - 2026年一季度一般型DRAM合约价预计环比增长55%-60%，NAND环比增长33%-38%，企业级SSD合约价在25年四季度至26年一季度有望各涨价50%以上 [4] - 展望2026-2027年，原厂虽有扩产计划但短期难补缺口，结构性错配将会持续，未来供需预期仍然偏紧 [5] 产业链影响与结构性变化 - AI数据中心对HBM、服务器内存条等高端产品需求激增，主流存储厂商将产能向高端产品倾斜，导致传统产品供给缺口扩大 [4] - 存储行业高景气将直接带动半导体设备、半导体材料公司成长，国内长鑫科技IPO进程推进有望进一步扩大资本开支，利好上下游配套企业 [4] - NVIDIA推理上下文记忆存储平台等新技术推出将持续加大存储供给紧张状态 [4] - 在长江存储与长鑫存储尚未完全成熟的背景下，存储器模组厂商、解决方案提供商及行业代理机构正发挥至关重要的桥梁与缓冲作用 [5] AI技术演进与存储价值 - 大模型引入短期与长期记忆，使交互具备资产属性，每一次对话、决策与反馈可沉淀为可复用经验，提升后续任务成功率与执行效率 [4] - 记忆增强用户黏性与个性化体验，推动留存率、付费深度及ARPU的结构性提升，同时减少重复推理与无效token消耗，形成跨时间的算力复用 [4] - 持续积累的记忆构成难以迁移的数据与经验壁垒，成为Agent架构中最关键的组成之一 [4] - AI的memory时刻标志着模型正从一次性推理工具，进化为具备跨时间状态与长期价值积累能力的智能系统 [4]