声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。 来源：市场资讯 国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为"套刻误差的测量方 法及系统、装置、程序产品和存储介质"的专利，公开号CN121348661A，申请日期为2024年7月。 专利摘要显示，一种套刻误差的测量方法及系统、装置、程序产品和存储介质，套刻误差的测量方法包 括：获取第一状态下的产品晶圆和参考晶圆的第一参考套刻误差，第一参考套刻误差为产品晶圆上的第 一前层套刻标记与参考晶圆上的第二前层套刻标记之间的套刻误差；获取第二状态下的产品晶圆和第一 状态下的参考晶圆的第二参考套刻误差，第二参考套刻误差为产品晶圆上的当层套刻标记与参考晶圆上 的第二前层套刻标记之间的套刻误差；根据第一参考套刻误差和第二参考套刻误差之间的偏差，获取产 品晶圆的当层套刻标记和第一前层套刻标记的套刻误差。本发明实施例中获取套刻误差不受第一前层套 刻标记与当层套刻标记之间纵向距离的限制，有利于降低获得套刻误差的难度。 天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从 ...