三星、SK海力士将既有产能全力冲刺生产高端DRAM及高频宽存储（HBM），大举排挤NAND Flash产 出，两大厂今年同步大砍NAND芯片产量，三星全年产量甚至比先前景气低迷时还少，将使得全球 NAND芯片市场持续供不应求，价格再度狂飙。 中国台湾供应链方面，群联认为，云端服务业者对企业级SSD与储存容量需求呈现结构性增长，目前市 场供给仍偏紧，缺口约在一成以上，短期内难以缓解，尤其主要NAND芯片厂过去几年对扩产态度保 守，即使启动新投资，新增产能最快也要到2027年后才可能逐步开出。 点序方面，该公司深耕NAND控制芯片，同样搭上价格上扬走势，挹注运营动能。 市场估算，全球NAND芯片供给结构性缺口将因此扩大约3%至4%，时值NAND芯片严重供不应求、价 格狂涨，两大厂产出不增反减，将使得供给更吃紧，价格涨势延续，台湾NAND芯片应用双巨头群联 （8299）、点序（6485）将成两大赢家，模组厂威刚、创见、十铨等也沾光。 韩媒Chosun Biz引述市场研究公司Omdia的数据报道，三星、SK海力士冲刺高端DRAM与HBM，持续降 低NAND芯片产出，其中，三星今年NAND芯片产量将由去年的490万片降 ...