文章核心观点 - 全球存储芯片市场因供需紧张和需求强劲迎来价格飙升，三星电子与SK海力士将于1月29日同日发布2025年第四季度财报，标志着行业周期性复苏进入关键阶段，双方在利润表现、资本开支及下一代高带宽内存（HBM）技术上的竞争备受关注 [1] 2025年第四季度业绩前瞻 - 三星电子第四季度营收预计突破90万亿韩元，营业利润同比激增208%，有望成为首家单季营业利润突破20万亿韩元的韩国企业，主要得益于存储半导体业务的迅猛反弹 [1] - 三星电子存储半导体业务的营业利润预计在17万亿韩元的高位区间，整体营收同比增长22.7% [4] - SK海力士第四季度营业利润最初预计在16至17万亿韩元，现已被上调至至少18万亿韩元 [1][4] - 由于SK海力士业务结构更侧重于HBM，限制了其从近期传统DRAM价格飙升中获取的收益幅度 [1][4] - 随着商品DRAM价格自2025年下半年起反弹及主流DRAM出货量增加，三星电子存储部门盈利能力快速恢复，大幅缩小了与SK海力士的盈利差距，并有望在随后的季度实现反超 [1][4] 2026年业绩展望与资本支出计划 - 分析师预测，在内存供应紧张局面预计将持续至2027年的背景下，两家公司将在2026年双双迈入“100万亿韩元营业利润俱乐部” [3] - SK海力士2026年销售额预计超过165万亿韩元，营业利润突破100万亿韩元 [5] - 三星电子2026年营业利润可能达到约150万亿韩元 [5] - SK海力士资本支出预计在2026年超过30万亿韩元，重点投向清州M15X晶圆厂及龙仁半导体集群 [3][5] - 三星电子计划在2025年DS部门支出40.9万亿韩元的基础上，于2026年大幅增加存储领域投资，关键事项包括提升HBM产量、扩建平泽DS基地以及推进得克萨斯州Taylor晶圆厂建设 [2][5] 产能扩张与技术路线图 - 三星电子得克萨斯州Taylor工厂计划在2026年下半年开始2nm工艺生产，平泽P4工厂将生产1c纳米DRAM，目标是在2026年底前实现每月20万片晶圆的产能，平泽P5工厂计划于2028年投产 [2] - SK海力士清州M15X工厂计划于2月开始生产HBM4 1b纳米DRAM，清州P&T7先进封装工厂计划于2027年投产，印第安纳州先进封装工厂计划于2028年投产 [2] HBM4技术竞争态势 - 英伟达在2025年第三季度修改了其Rubin平台的HBM4规格，将单引脚速度要求提高至11 Gbps以上，迫使供应商修改设计 [6] - 三星和SK海力士已于2025年底开始向英伟达交付付费的HBM4最终样品，具体的供应量和定价预计将在2026年第一季度锁定 [3][6] - 三星试图通过采用1Cnm工艺制造HBM4，并利用先进的内部代工技术生产基础裸片来挑战SK海力士，这有望提供更高的传输速度 [2][6] - 尽管面临竞争，SK海力士已经获得相关合同，并预计在2026年仍将保持在HBM总供应量中的主导份额 [2][6] 存储芯片市场价格动态 - 随着商品DRAM价格预计再次大幅上涨，三星存储部门的营业利润有望在2026年第一季度超越SK海力士 [4] - TrendForce数据显示，2026年第一季度主流DRAM的平均售价预计将环比跳涨55%至60% [4]