核心观点 - 高盛发布报告强烈看多DRAM市场，认为现货与合约价格间的巨大溢价将驱动合约价格大幅补涨，存储芯片行业“超级周期”正在加速，相关公司盈利预期存在上行空间 [1][6] 现货与合约价格分析 - DDR4现货价格相对于合约价格的溢价高达172%，DDR5现货价格相对于12月合约价格的溢价为76% [1][2][4] - 如此巨大的现货溢价在历史上不可持续，预计将通过合约价格大幅补涨来实现收敛 [1][4] - 现货市场由DDR5引领反弹，DDR4自2024年9月以来的涨势仍在延续 [2] 需求端驱动因素 - AI服务器需求持续强劲，高盛追踪的中国台湾服务器ODM厂商12月月度营收同比飙升94% [3][4] - 该ODM厂商营收数据已连续13个月保持50%以上的同比高增长 [3][4] - 服务器市场领先指标信骅科技（Aspeed）在2024年12月高基数（同比增131%）上，2025年12月营收仍实现18%的同比增长 [4] - 韩国DRAM出口额在12月录得72%的同比增长，验证供应紧张推高价格的宏观趋势 [4] 供应链与厂商表现 - 中国台湾DRAM供应商南亚科技12月营收同比暴增445%，主要受DDR4价格强劲上涨驱动 [3][4] - 南亚科技营收已连续5个月实现三位数同比增长，且增速逐月加快（8月至12月分别为+141%、+158%、+262%、+365%、+445%） [4] - 移动端市场的特定客户已开始接受2026年第一季度的存储芯片报价，且涨幅明显高于2025年第四季度达成的协议 [5][8] - 高盛预计其他客户也将跟随趋势，同意在2026年第一季度大幅上调存储价格 [8] 公司评级与展望 - 高盛维持对三星电子和SK海力士的“买入”评级 [1][6] - 对三星电子给出12个月目标价180,000韩元，预计其2026年第一季度DRAM混合平均售价将环比增长约50% [6][8] - 对SK海力士给出12个月目标价700,000韩元，并给予其相对于三星30%的AI溢价 [6][8] - 高盛对HBM（高带宽内存）出货量增速的预期比市场共识高出9个百分点，但对HBM3E 12-Hi价格的预期比共识低17个百分点 [8]