核心观点 - 英特尔计划将其用于埃米级制程与先进封装的独家关键技术“Super MIM”超级电容授权给联电 双方合作将从现有的12纳米平台扩展 旨在共同抢占AI时代商机并树立台美半导体合作新里程碑 [1] 合作背景与现状 - 联电确认与英特尔的合作重心仍在12纳米平台 以强化制程竞争力与客户服务 但未来不排除朝更多元技术领域扩大合作范围 [1] - 联电内部已有专门团队开始为这项潜在的新合作展开行动 [1] - 英特尔对相关消息不予置评 [1] Super MIM技术细节与重要性 - Super MIM是英特尔进军埃米级制程的关键技术 用于解决先进制程下的电源噪声与瞬时功率波动问题 是其下一代制程节点的秘密武器 [1] - 该技术采用铁电铪锆氧化物（HZO）、氧化钛（TiO）、钛酸锶（STO）等材料堆叠 能在兼容现有后段制程的情况下 大幅提升单位面积电容密度并显著降低漏电水平 [1] - Super MIM可在芯片内部即时提供瞬间电流支援、抑制电压下陷与电源杂讯 是确保18A等埃米级制程顺利量产的关键电力基础模组之一 [2] 合作规划与潜在影响 - 英特尔正规划优先将Super MIM技术向下导入与联电现有合作的12纳米/14纳米制程平台 并延伸至先进封装相关应用 [2] - 通过取得英特尔授权 联电在关键电力技术的商品化与模组化方面将迈进大步 有助于在成熟先进制程与先进封装领域建立差异化的技术门槛 [2] - 若成功导入 联电将不仅是优化单一制程 而是获得“先进电力模组”这项跨世代关键能力 [2] - 此举将有助于联电切入AI加速器、高速运算、先进封装电源层等高附加价值应用 对联电整体技术平台与客户结构具有指标意义 [2] 行业技术背景 - 随着电晶体尺寸持续微缩 芯片在高负载运算时会出现剧烈瞬时电流需求 传统去耦电容面临容量密度不足或漏电流过高等瓶颈 已难以支撑埃米级芯片的稳定运作 [1]