核心观点 - 全球存储芯片市场因AI需求激增而出现严重的供需失衡，主要制造商采取激进的定价策略，引领全行业进入价格上涨周期，此轮行情由结构性需求驱动，并已蔓延至产业链中下游 [1][2][3][4] 行业供需与价格动态 - 价格大幅上调：三星电子在第一季度将NAND闪存供应价格上调了100%以上，远超市场预期 [1] - 全行业集体行动：市场份额排名第一和第二的三星电子与SK Hynix均采取类似定价策略，显示卖方市场强大议价能力 [1] - 持续上涨预期：市场预计价格上涨势头将在第二季度延续甚至贯穿全年，三星已着手与客户就第二季度NAND价格进行新一轮谈判 [1] - 历史性涨幅预测：研究机构Counterpoint Research预计2025年Q4存储价格将飙升40%–50%，2026年Q1再涨40%–50%，2026年Q2预计再上涨约20% [2] - 广泛参与涨价：即使是市场排名第五的SanDisk也计划将NAND价格上调100%，全行业全面提价已成定局 [2] - 近期价格涨幅：TrendForce预计常规DRAM在2026年Q1价格环比增长55%-60%，NAND预计环比增长33%-38% [4] - 极端锁价方案：闪迪曾向客户提出100%现金预付的长期锁量方案，最长或涉及3年合约，其2026年Q1合约价格最高或有近翻倍增长，高于市场30%-40%的预期 [4] 驱动因素分析 - AI驱动的结构性需求：本轮上涨由AI算力革命驱动，AI训练与推理服务器对DRAM与NAND的需求量相较于传统服务器往往高出数倍 [3] - 供给端结构性变化：三星、美光、SK海力士等厂商加速向高端存储产品（如HBM）倾斜，导致中低端NAND与DRAM产能被结构性压缩，放大供需缺口 [3] - 库存处于历史低位：存储厂商经历了长时间的去库存过程，当前渠道与客户库存均处于历史低位，需求回暖时价格弹性显著放大 [3] 产业链蔓延效应 - 涨价向上游传导：存储合约/现货价格涨幅超预期后，涨价逐步蔓延至代工和封测等环节 [4] - 封测代工产能吃紧：以台系封测厂力成、南茂为例，随着美光等大客户需求增长，委外订单比重增加，稼动率持续提升，并计划在2026年陆续给客户涨价 [4] - 国内环节同步紧张：从国内存储代工和封测渠道了解到，普遍存在产能吃紧和价格上调的现象 [4] - 潜在蔓延领域：后续可观察与存储紧密相关的配套芯片（如主控芯片、接口芯片）是否会同步出现涨价现象 [6] 公司业绩与市场展望 - 三星电子业绩预告：2025年Q4预计营业收入约93万亿韩元，同比+23%/环比+8%；预计营业利润约20万亿韩元，同比+208%/环比+64% [5] - 佰维存储业绩预告：2025年Q4预计营收34-54亿元，中值同比+165%/环比+86.8%；归母净利润8.2-9.7亿元，中值环比+249.6%；扣非净利润7.8-9.2亿元，中值环比+299.1% [5] - 密集财报季来临：1月末和2月初，海力士、三星、闪迪、西部数据等公司将披露最新业绩和展望 [6] - 机构看好行业周期：中银国际认为AI与数据扩张推动存储进入新周期，供需紧张致价格持续上涨，HBM等新技术迭代需求旺盛，给予行业强于大市评级 [6] 相关公司业务概况 - 兆易创新：核心产品涵盖专用型存储芯片（NOR Flash、NAND Flash、利基型DRAM）、MCU等，2024年NOR Flash全球第二、中国内地第一（18.5%市场份额），SLC NAND Flash及MCU均为中国内地第一 [7] - 中芯国际：第三季度销售收入为23.82亿美元，同比增长9.7%；毛利率为22%，环比上升1.6%；产能利用率上升至95.8%，环比增长3.3%；其嵌入式存储平台向车规、工业MCU领域拓展，特色存储Nor、NAND提供高可靠性平台 [8] - 上海复旦：业务囊括安全与识别芯片、非挥发存储器、智能电表芯片、FPGA四大类产品线，并通过控股子公司华岭股份提供芯片测试服务 [8]