据DIGITIMES周二报道，在韩国近期举办的下一代半导体技术趋势研讨会上，成均馆大学教授Seok-jun Kwon指出，存储行业正经历超级周期，DRAM价格在短短几个月内飙升300-400%。然而三星、SK海力 士和美光无法满足全球需求，这为中国存储制造商创造了进入市场的机会。 Kwon强调，中国企业的扩张潜力不仅限于消费零售领域，还包括企业级市场。即使只占据5-10%的市 场份额，也足以为其未来增长积累动能。 中国企业若能在这一窗口期获得更多技术经验，将对全球存储芯片格局产生深远影响。 技术追赶速度超预期 中国存储制造商正以惊人速度追赶韩国领先企业。2025年初，当SK海力士供应第三代高带宽内存 (HBM3E)芯片时，长鑫存储科技(CXMT)仍在开发HBM2技术，但到2025年年中就有报道称其已跃进至 HBM3开发阶段。 Kwon指出，CXMT的加速进展不仅源于自身资金，还得益于地方政府和华为的投资。新技术测试不仅 在CXMT自有工厂进行，还经常在华为投资的广东和上海工厂开展，使公司能在内部扩大生产前识别可 行方案。这种模式让CXMT缩短了研发周期，快速实现技术创新的商业化。 市场窗口期的战略意义 存储芯 ...