文章核心观点 - 全球存储芯片市场正经历“史上最强”的超级周期，其核心驱动力已从传统消费电子转向AI算力革命 [1][6] - 本轮涨价的核心原因是供给端扩产缓慢与高端AI需求虹吸共同作用的结果 [1][6] - 行业景气度预计至少延续到2026年上半年，市场对紧平衡持续到2026年之后的判断在增多 [3][8] 涨价驱动因素：供给端 - 供给端短期难以快速扩产，新建一座晶圆厂平均需要18–24个月，形成稳定可售供给时间更长 [1][6] - 海外存储厂商在上一轮下行期普遍减产控产、谨慎安排资本开支，导致库存回落、供给弹性变小 [1][6] - 即便国内存储厂商（两存）更积极，新增产能也大概率要到2026年下半年甚至更晚才会在统计口径上明显体现 [1][6] 涨价驱动因素：需求端 - 需求端出现结构性上移，AI数据中心推升了HBM、服务器内存与企业级SSD的优先级 [1][6] - 厂商资源向高毛利产品倾斜，客观上挤压了部分通用型DRAM与NAND的供给 [1][6] - 下游提前锁量、备货，进一步放大了短期紧缺和涨价斜率 [1][6] 2026年涨价新特点 - 涨价更“全面”、斜率更“陡”，从结构性短缺外溢到更主流的DDR5与客户端SSD [2][7] - 买方锁量意愿更强，机构对2026年一季度合约价的上行预期明显更激进 [2][7] - AI带来的“以存代算”逻辑强化，市场对NAND/SSD的需求想象力被抬升 [2][7] - BlueField-4等方案强调通过新增上下文存储层提升效率，可能使NAND的定价与估值框架向伴随算力成长的逻辑靠拢 [2][7] 行业景气度展望 - 从当前信息看，行业景气或至少延续到2026年上半年 [3][8] - 机构对2026年第一、二季度价格仍给出较强的上行预期 [3][8] - 供给端新增产能释放与良率爬坡都需要时间，短期供给修复并不快 [3][8] - 关键变量在于新增产能（尤其国内两存）的释放节奏，以及HBM相关先进封装/测试瓶颈的缓解速度 [3][8] 潜在投资机遇 - 首先是存储IDM（整合器件制造）厂商的利润弹性与产品结构升级带来的机会 [3][8] - 其次是围绕扩产与代际升级带来的设备、材料、零部件与先进封测环节机会 [3][8] - 需要动态跟踪价格拐点出现后，消费电子与PC链条的需求修复与库存再平衡所带来的阶段性反转机会 [3][8]