财报核心数据 - 2025年第四季度净销售额为97亿欧元，符合指引，其中净系统销售额76亿欧元（EUV系统36亿欧元，含2台高数值孔径系统；非EUV系统40亿欧元），设备维护业务销售额21亿欧元 [4] - 第四季度综合毛利率为52.2%，净利润为28亿欧元，占净销售额的29.2%，每股收益7.35欧元 [4][5] - 第四季度净订单额达到132亿欧元，其中EUV系统74亿欧元，非EUV系统58亿欧元，存储器领域占比56%，逻辑芯片领域占比44% [6] - 2025年全年净销售额为327亿欧元，毛利率为62.8%，净利润为96亿欧元，占净销售额的29.4%，每股收益24.73欧元 [7][12] - 2025年EUV系统销售额为116亿欧元，同比增长39%，共交付48套系统；深紫外光刻系统销售额为120亿欧元，同比下降6% [8][9] - 2025年市场细分营收：逻辑系统161亿欧元（增长22%），存储系统84亿欧元（下降2%），设备维护及管理业务收入82亿欧元（增长26%） [11] - 2025年自由现金流为110亿欧元，期末未完成订单额约为388亿欧元 [13] 管理层观点与业绩指引 - 第四季度“爆量”的订单大部分将在2027年交付，对2026年业绩影响有限 [2] - 公司给出的业绩指引较为宽泛，首要影响因素是客户工厂建设进度，这将直接决定设备出货节奏 [2] - 2026年第一季度指引：总净销售额预计82亿至89亿欧元，毛利率预计51%-53% [22] - 2026年全年指引：净销售额预计340亿至390亿欧元（同比增长约4%至19%），毛利率预计维持在51%-53% [23] - 预计到2030年，营收规模将在440亿至600亿欧元区间，毛利率维持在56%至60%之间 [24] 市场需求与驱动因素 - 市场前景显著改善，主要受数据中心及人工智能相关基础设施持续扩建驱动 [17] - 先进逻辑芯片和DRAM客户对产能的额外需求，带动了全线产品（特别是EUV业务）需求增长 [18] - 在先进逻辑领域，AI加速器正从4纳米向3纳米节点迁移，客户同时持续推进2纳米节点量产 [19] - 在存储器领域，对HBM和DDR产品的需求极为强劲，供应紧张局面至少将持续至2026年，DRAM客户持续增加EUV光刻层数 [19] - 客户公开评论中关于AI相关需求可持续性的看法，已转化为具体的订单或需求指示，尤其是对2027年的预期 [31] 各业务板块展望 - EUV业务：受先进逻辑和DRAM双重驱动，2026年营收将显著增长 [20] - 非EUV业务：2026年营收预计与2025年持平，其中中国地区占公司总净销售额比例预计与当前系统订单量占比（约20%）持平 [21] - 计量与检测业务：预计实现显著增长，因客户加大对工艺控制策略的投入 [22] - 设备维护及管理业务：收入预计连续第二年增长，得益于EUV系统安装基数扩大和客户性能升级计划 [22] 技术进展与产能规划 - EUV技术持续推动客户最先进工艺的技术成本降低，NXE:3800E设备生产效率提升将推动在DRAM制造中以单次曝光EUV技术替代复杂的多重曝光工艺 [25] - 高数值孔径EUV技术认证进展顺利，英特尔已宣布其EXE:5200B系统通过认证并投入使用，预计2026年将交付更多系统 [26] - Low NA EUV工具的制造产能正在逐步提升，这是一个渐进过程，无法在一年内从例如44台跃升至80台，若需求趋势持续，2026年后产能还将继续增长 [30][34] - 到2030年，公司将提供Low NA和High NA工具，并通过研发提升单台Low NA工具的生产率，结合High NA工具提供远超当前数字的产能 [32] 订单与区域分析 - 第四季度订单中，内存订单强劲，不仅来自深紫外光刻，也来自EUV光刻，预计2026年销售构成中内存将占据重要部分 [33] - 中国地区占公司总净销售额比例预计维持在20%左右，该预期适用于2026年全年指引区间 [32][36] - 第四季度获得的大量订单中，大部分是针对2027年的，只有一部分是2026年的 [42] 毛利率影响因素 - 2026年毛利率指引的负面因素包括：浸没式工具销售低于2025年、干式工具销售增加但毛利率较低、EUV产品组合中毛利率较低的型号占比较高、更多High NA工具的轻微负面影响 [43] - 正面因素包括：EUV工具数量显著增加利于提升毛利率，以及设备基数管理业务（尤其是升级需求高涨）成为重要的积极变动因素 [43] - 到2027年，EUV产品组合将显著改善，且届时可能已有新一代产品，其组合将优于2026年 [38] 长期行业趋势 - 在DRAM领域，从6F²技术向4F²架构迁移将增加浸没式光刻与EUV光刻的密集度，推动EUV在DRAM中的份额提升 [25][33] - 在逻辑芯片路线图中，从2纳米到A16节点的EUV层数变化不大，但在A14节点预计将增加10%至20%，到A10节点可能需要更多EUV层数 [44] - High NA的采用计划本就为充分认证预留了时间，是为下一个节点准备的，客户有足够时间进行规划，当前产能加速主要针对现有技术节点，因此不存在延迟风险 [40]