相比铁磁体，反铁磁材料其实更有助于开发更高密度、更快运行速度的磁性存储器，但这要满足一 个条件：在保持反铁磁态的基础上，所有磁性层同时发生整体性双态切换。 记者29日从复旦大学获悉，该校物理学研究团队利用自主开发的多模态磁光显微技术，发现一类特 殊的低维反铁磁体系能够在外磁场下像铁磁体一样展现出确定性的双稳态整体切换，并完善了经典的磁 学理论框架，用来描述该现象背后的物理机制。该研究揭示了低维层间反铁磁体磁化翻转的关键因素与 独特效应，推动反铁磁材料研究迈出从"有趣而无用"到"可读可写"的关键一步，为开发新一代低功耗、 高速运算芯片提供了新路径。相关成果29日在线发表于国际学术期刊《自然》。 该研究为反铁磁动力学基础研究以及技术应用带来了变革性突破，也为未来低维磁性材料集成到自 旋电子学以及光电子领域中开辟了新途径。 在铁磁体中，磁针均整齐指向同一方向，易于通过外磁场调控，因此常规磁性设备如机械硬盘等均 以铁磁材料作为存储单元。而反铁磁材料由于磁针方向相反、磁性抵消而很难被磁场调控，多被当作辅 助铁磁体的"配角"。 (责编：罗知之、陈键) 关注公众号：人民网财经 复旦大学物理学系吴施伟所在团队基于多年的技术积 ...