技术突破 - 东南大学与南京大学联合团队基于金属有机化学气相沉积技术，通过氧辅助策略精准调控生长动力学，成功突破了6英寸过渡金属硫化物二维半导体单晶量产核心技术难题 [1] - 该技术解决了传统技术中碳污染、晶畴尺寸小、迁移率低等挑战，为二维半导体产业化迈出关键一步 [1] - 在制备过程中引入氧气并创新设计预反应腔结构，使前驱物反应速率提升约1000倍以上 [1] 性能提升 - 新方案使二硫化钼晶畴的生长速率较传统方法大幅提升，晶畴平均尺寸从百纳米级提升至数百微米，并沿特定晶向有序排列 [2] - 该技术解决了二维半导体大面积均匀生长的量产化难题，并彻底解决了碳污染问题 [2] 行业意义 - 随着晶体管尺寸逼近物理极限，传统硅基技术面临挑战，以二硫化钼为代表的二维半导体材料被视为后摩尔时代最具潜力的非硅新材料 [1] - 此次成果标志着二维半导体单晶量产核心技术取得实质性突破，为其在集成电路、柔性电子及传感器等领域的规模化应用奠定了材料基础 [2]