再破核心技术难题,二维半导体量产迎来关键进展
选股宝·2026-02-02 23:16
行业技术突破 - 南京大学-苏州实验室与东南大学团队合作开发了全新的氧辅助金属有机化学气相沉积技术,解决了二维半导体量产化制备的动力学瓶颈 [1] - 团队在制备过程中创新设计材料生长结构,使前驱物反应速率提升约1000倍以上 [1] - 该成果与此前发表的“点石成晶”技术共同构建了“衬底工程 + 动力学调控”完整技术路线,为二维半导体量产化提供核心支撑 [1] 行业前景与重要性 - 具有原子级厚度的二维半导体是国际公认的突破摩尔定律物理极限的关键 [1] - 二维半导体核心优势在于原子级厚度,可突破硅基材料的物理极限,为后摩尔时代芯片发展提供新路径 [1] - 二维-硅基混合架构闪存芯片技术有望颠覆传统存储器体系,让通用型存储器取代多级分层存储架构 [1] - 该技术可为人工智能、大数据等前沿领域提供更高速、更低能耗的数据支撑,让二维闪存成为AI时代的标准存储方案 [1] 相关公司 - 新闻提及的相关公司主要有南大光电、德尔未来 [2]