行业背景与趋势 - AI基础设施建设正在推动存储行业进入“超级周期”，投资与科技巨头正积极布局该赛道[1] - AI大模型训练算力需求呈指数级增长，数据中心能耗成为行业痛点[3] - 传统高带宽内存（如HBM）虽提升数据传输效率，但功耗问题突出，例如在谷歌AI数据中心，HBM内存单元功耗占比高达35%[3] 合作核心内容 - 软银集团子公司Saimemory与英特尔公司于2026年2月2日签署合作协议，共同开发并商业化名为ZAM的下一代内存技术[1][2] - ZAM技术具有高容量、高带宽和低功耗特性，旨在用于人工智能数据中心[1][2] - 合作将利用英特尔的下一代DRAM组装技术以及其在Advanced Memory Technology程序和Next Generation DRAM Bonding计划中确立的技术[2] 技术开发与商业化时间表 - 计划在2027财年（即2027年度）创建原型产品[1][2] - 目标在至少2028年初之前完成原型开发[1] - 计划在2029财年（即2029年度）实现该技术的商业化[1][2] 合作目标与预期影响 - 开发旨在解决AI数据中心高功耗瓶颈，预示着AI硬件领域可能迎来能效层面的重大变革[3] - ZAM技术目标是为需要大规模AI模型训练和推理的数据中心带来高容量、高带宽的数据处理能力、更高处理性能及更低功耗[2] - Saimemory最初目标是打造性能可与当前主流HBM相媲美，但功耗降低一半以上的产品[3] 公司战略与投资 - Saimemory是软银于2024年12月成立的子公司，专门致力于推动下一代存储技术的研究开发与实际应用[2][3] - 软银作为关键投资者，初期投入30亿日元，成为项目最大出资方，整个项目预计总成本高达100亿日元（约合7000万美元）[4] - 产品成功推向市场后，软银将享有优先供货权[4] 对合作方的战略意义 - 对英特尔而言，此次合作是其加强芯片产品线、追赶AI领域竞争对手努力的一部分[4] - 标志着英特尔在存储器领域的一次重大回归，其2022年退出了Optane存储业务并出售了NAND闪存业务，但保留了相关技术与专利[4] - 英特尔在先进封装和芯片堆叠等领域的技术积累，将为Saimemory的研发提供支持[4] - 软银将此次合作视为支撑下一代社会基础设施的重要举措，并旨在通过国内外技术合作，增强日本半导体技术的国际竞争力[2]