公司技术动态 - 高通科技公司于2024年5月获得一项关于DRAM存储器保护技术的中国发明专利 授权公告号为CN116018645B [1] - 该专利名称为“用于保护DRAM存储器装置免受行锤效应的方法和电路” 旨在解决DRAM存储器的行锤攻击安全漏洞问题 [1] - 此项专利的申请日期为2021年5月 表明公司在半导体存储器安全领域进行了长期的技术布局 [1] 行业技术趋势 - 行锤效应是DRAM存储器中一个已知的可靠性问题 恶意程序可通过频繁访问特定内存行来干扰相邻行的数据 导致错误或系统崩溃 [1] - 高通此次获得的专利涉及保护DRAM免受行锤效应的方法和电路 反映了半导体行业对存储器安全性与可靠性的持续技术投入 [1] - 该技术进展属于半导体存储器设计和安全领域 可能对未来的内存产品设计和相关应用产生影响 [1]