公司专利技术进展 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司于2024年8月申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号为CN121487311A [1] - 该专利涉及一种半导体结构，包括衬底、悬置于衬底上方的沟道层结构、横跨沟道层结构的栅极结构、位于栅极结构两侧衬底上的源漏掺杂层以及位于源漏掺杂层底部衬底中的源漏插塞 [1] - 该专利技术旨在通过改进结构设计，实现更佳的供电效果，从而提高半导体结构的工作性能 [1] 公司基本情况 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司成立于2000年，位于上海市，主营业务为计算机、通信和其他电子设备制造业 [1] - 公司注册资本为244,000万美元 [1] - 公司对外投资了4家企业，参与招投标项目129次 [1] 公司知识产权与资质状况 - 公司拥有商标信息150条，专利信息5,000条 [1] - 公司拥有行政许可447个 [1]