核心观点 - 存储行业正经历由AI推理需求驱动的涨价潮，从DRAM蔓延至NAND，供需错配导致NAND价格预测被大幅上修，行业正朝着“HBM+DRAM+NAND”及“DRAM缓存+HBF加速+NAND海量存储”等多层架构演进 [1][3][6] 价格趋势与市场预测 - 2024年1月，三星电子将NAND闪存合约价格上调100%以上 [1] - TrendForce集邦咨询将2024年第一季NAND Flash合约价季增预测从33-38%上调至55-60%，且不排除进一步上修 [1] - Counterpoint预测2024年第一季度NAND闪存价格将上涨超过40% [1] - 摩根大通预测，2026年NAND行业平均销售价格将同比上涨40%，2027年仅微跌2%，维持高位 [5] AI需求驱动因素 - AI推理及新一代AI大模型在推理过程中进行训练，双双带动闪存需求 [1] - 企业级RAG（检索增强生成）应用加速落地，要求对TB至PB级私有知识库进行向量化并持久化存储，引爆对高性能企业级SSD及高品质NAND原厂颗粒的强劲需求 [1][2] - 长上下文（Long Context）技术发展，当大模型上下文窗口突破100万甚至1000万token时，海量中间状态数据（KV Cache）无法被GPU的HBM或DRAM容纳，必须溢出到外部存储如DRAM及高速SSD [2] - 铠侠披露，经与英伟达沟通测算，英伟达KV Cache相关应用在2027年或将额外带来约75-100EB的NAND需求，2028年该需求有望进一步翻倍 [3] - 数据中心对NAND需求增速超过DRAM，据TechInsights预测，2023-2030年数据中心NAND位元需求CAGR达32.6%，而数据中心DRAM位元需求CAGR为28.3% [3] 行业供给格局 - 全球NAND Flash存储晶圆产能集中在三星电子、SK海力士、美光、西部数据/闪迪、铠侠、长江存储、长鑫存储等少数巨头手中 [4] - 头部原厂正将资本开支优先向HBM及先进DRAM产能倾斜，NAND领域的投资增速相对落后 [4] 技术架构演进 - AI推理驱动存储架构向“HBM+DRAM+NAND”三级金字塔架构演进 [3] - 为应对传统NAND SSD的带宽瓶颈和毫秒级延迟导致的“内存墙”问题，闪迪推出了新型AI存储架构高带宽闪存（HBF），将3D NAND闪存与类似HBM的高带宽接口技术深度融合，提供比传统HBM高出8到16倍的容量，读取性能有望逼近HBM水平 [5] - SK海力士正与闪迪合作制定HBF标准，闪迪计划在2026年下半年交付HBF内存首批样品，预计首批搭载HBF的AI推理设备样品将于2027年初上市 [5] - HBF核心优势在于结合高带宽与大容量，且成本更具竞争力，适合读取密集型的AI推理等大容量应用场景 [5] - 有企业提出用HBF替代大部分DRAM容量需求以支撑更大模型，在将DRAM容量减半、保持存储成本仅40美元的同时，成功支撑32GB大模型，实现了更高系统性能和更低能耗 [6] - 随着3D NAND层数突破200层、HBM4量产体系建立及HBF等新架构研发推进，存储产业正朝着“DRAM缓存+HBF加速+NAND海量存储”的多层架构演进 [6]