核心观点 - 2026年第一季度内存价格预计将环比上涨80%-90%，创历史暴涨纪录，主要由通用服务器DRAM价格大幅攀升驱动，NAND闪存价格也同步上涨80%-90%，市场呈现全品类加速上涨态势 [1] - 本轮价格暴涨的核心逻辑是AI推理驱动存储需求成倍增长，叠加供给端有效产能释放滞后，AI服务器推动存储架构向"HBM+DRAM+NAND"三级演进 [1] - 通用服务器DRAM涨价的核心催化是GPU迭代带动存储容量与产能需求激增，而供给端新增产能集中在2027年及以后释放，2026年行业供需结构性错配将持续 [1] 价格与市场趋势 - 2026年第一季度内存价格预计环比上涨80%-90% [1] - 同期NAND闪存价格同步上涨80%-90% [1] - 服务器级64GB RDIMM合约价从去年第四季度的450美元飙升至900美元以上，二季度有望突破1000美元关口 [1] - 部分HBM3e产品价格走高，市场呈现全品类加速上涨态势 [1] 需求驱动因素 - AI推理驱动存储需求成倍增长 [1] - AI服务器推动存储架构向"HBM+DRAM+NAND"三级演进 [1] - 数据中心成为最大单一市场，2026年服务器DRAM占比将突破50% [1] - 中长期需求复合年增长率维持20%高位 [1] - GPU迭代带动存储容量与产能需求激增，B200、B300等新一代GPU对应的DRAM等效产能消耗同比增长20%-171% [1] 供给与产能状况 - 供给端有效产能释放滞后 [1] - 供给端新增产能集中在2027年及以后释放 [1] - 2026年行业供需结构性错配将持续，AI驱动的紧缺态势难缓解 [1] 产业链概况 - 存储产业链上游涵盖设备与材料环节 [2] - 中游包括存储芯片设计、制造与封测 [2] - 下游聚焦服务器、数据中心等应用领域 [2] - 各环节均受益于量价齐升趋势 [2] 相关公司业务动态 - 大为股份全资子公司大为创芯主要产品有NAND、DRAM存储两大系列 [3] - 大为创芯在稳定核心客户基础上，成功导入超越科技、四川九洲、广东朝歌等重量级新客户 [3] - 大为创芯实现在通信和消费电子领域的市场突破 [3] - 大为股份目前正在推进探矿权转采矿权工作进程 [3] - 东芯股份研发的DRAM产品主要包括DDR3(L)以及LPDDR1/2/4X [4]