行业技术背景 - 随着硅基芯片性能逼近物理极限，行业正在积极寻找替代方案，以二硫化钼为代表的二维半导体是重要方向之一 [1] 技术突破详情 - 南京大学与东南大学合作团队创新研发“氧辅助金属有机化学气相沉积技术”，突破了制约大尺寸二硫化钼薄膜规模化制备的技术难题 [1] - 传统金属有机化学气相沉积技术受反应动力学限制，薄膜生长速率慢，且前驱体分解会产生含碳杂质，严重影响薄膜质量 [1] - 新技术通过引入氧气辅助，在高温下使氧气与前驱体中的碳元素结合，从而减少碳污染 [1] - 团队试制的6英寸二硫化钼薄膜，其生长速率较传统方法提升两到三个数量级 [1] 技术突破的意义 - 《科学》期刊审稿人认为，该研究攻克了传统技术长期难以解决的动力学限制与碳污染难题 [1] - 该技术突破对加快推动二维半导体从实验室走向生产线具有重要意义 [1]