市场表现与交易数据 - 截至2月12日10:16，上证科创板半导体材料设备主题指数下跌0.49%，成分股中欧莱新材领涨11.69%，耐科装备领跌3.25% [1] - 截至2月12日10:18，中证半导体材料设备主题指数下跌0.46%，成分股中江丰电子领涨5.82%，中微公司领跌2.09% [1] - 科创半导体ETF（588170）下跌0.51%，报价1.75元，盘中换手率2.6%，成交额2.12亿元 [1] - 半导体设备ETF华夏（562590）下跌0.47%，报价1.89元，盘中换手率1.75%，成交额4763.55万元 [1] - 科创半导体ETF近1周规模增长2.05亿元，新增规模领先同类 [1] - 半导体设备ETF华夏最新规模达27.06亿元 [1] 资金流向 - 科创半导体ETF最新资金净流入1058.84万元，近5个交易日内有3日净流入，合计净流入1.21亿元，日均净流入2412.91万元 [2] - 半导体设备ETF华夏最新资金净流出2666.79万元，但近23个交易日内有16日资金净流入，合计净流入12.46亿元，日均净流入5418.13万元 [2] 行业动态与需求前景 - 三星预计市场对内存芯片的强劲需求将持续至2025年全年及2026年，主要受人工智能推动 [2] - 三星HBM4芯片显示出良好制造良率，客户对性能非常满意，计划于本月晚些时候开始大规模生产并交付 [2] - 三星HBM4芯片采用1c工艺（第六代10纳米级DRAM技术）和4纳米工艺制造，数据处理速度高达每秒11.7Gbps，超过行业8Gbps标准 [2] - 1月存储市场延续强势上涨，DRAM和NAND闪存价格涨幅持续超预期 [3] - 三星电子、SK海力士等头部厂商一季度合约价大幅上调，NAND闪存供应价格上调超100%，DRAM价格涨幅达60%～70% [3] - 本轮涨价核心驱动因素包括AI服务器对HBM需求爆发、数据中心资本开支加码、产能结构性调整等，供需缺口持续扩大 [3] - 预计本轮存储芯片涨价周期将延续至2026年中 [3] 相关产品与行业属性 - 科创半导体ETF（588170）及其联接基金跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数，该指数囊括科创板中半导体设备（60%）和半导体材料（25%）细分领域的公司 [3] - 半导体设备和材料行业是重要的国产替代领域，具备国产化率较低、国产替代天花板较高的属性 [3] - 行业受益于人工智能革命下的半导体需求扩张、科技重组并购浪潮以及光刻机技术进展 [3]