市场表现 - 截至2026年2月13日10点22分，上证科创板半导体材料设备主题指数强势上涨2.45%，成分股富创精密上涨14.61%，华兴源创上涨5.58%，耐科装备上涨5.28% [1] - 同期，中证半导体材料设备主题指数强势上涨2.54%，成分股富创精密上涨15.05%，京仪装备上涨5.72%，芯源微上涨5.28% [1] - 相关ETF表现强劲，科创半导体ETF（588170）上涨2.44%，报1.8元；半导体设备ETF华夏（562590）上涨2.41%，报1.95元 [1] 交易与资金流 - 科创半导体ETF盘中换手率4.94%，成交额4.09亿元；半导体设备ETF华夏盘中换手率3.99%，成交额1.10亿元 [1] - 科创半导体ETF近1周规模增长2.12亿元，新增规模领先同类；半导体设备ETF华夏最新规模达26.98亿元 [1] - 科创半导体ETF近3天连续资金净流入，合计1.49亿元，最高单日净流入1.17亿元，日均净流入4967.31万元 [2] - 半导体设备ETF华夏最新资金净流出2095.52万元，但近23个交易日内有15日资金净流入，合计“吸金”9.44亿元，日均净流入4105.16万元 [2] 行业动态与催化剂 - 日本存储巨头铠侠在截至2025年12月31日的季度内，收入为5436亿日元，环比增长953亿日元，主要得益于平均销售价格和比特出货量增加及汇率影响 [3] - 铠侠该季度营业利润为1428亿日元，环比增长568亿日元；税前利润1217亿日元，环比增长650亿日元；归属于母公司所有者的利润为878亿日元，环比增长471亿日元 [3] - 铠侠预计全年（截至2026年3月31日）营业利润为7095.7亿日元至7995.7亿日元，显著高于市场预期的5254.7亿日元 [3] - 银河证券指出，2026年1月存储市场延续强势，DRAM和NAND闪存价格涨幅持续超预期，三星电子、SK海力士等头部厂商一季度合约价大幅上调，NAND闪存供应价格上调超100%，DRAM价格涨幅达60%-70% [4] - 存储价格上涨核心驱动因素包括AI服务器对HBM需求爆发、数据中心资本开支加码、产能结构性调整等，供需缺口持续扩大，预计本轮涨价周期将延续至2026年中 [4] 相关产品与投资逻辑 - 科创半导体ETF（588170）跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数，囊括科创板中半导体设备（60%）和半导体材料（25%）细分领域的公司 [4] - 半导体设备ETF华夏（562590）指数中半导体设备（63%）、半导体材料（24%）占比靠前，充分聚焦半导体上游 [4] - 半导体设备和材料行业是重要的国产替代领域，具备国产化率较低、国产替代天花板较高的属性，受益于人工智能革命下的半导体需求扩张、科技重组并购浪潮及光刻机技术进展 [4]