强力新材2026-2027年半导体及先进封装材料产线建设计划披露
公司项目推进计划 (2026年) - 半导体光刻胶材料:KrF光刻胶光引发剂及配套材料将于2026年进入规模化量产 28nm逻辑芯片用光刻胶计划在2026年量产 合作方包括中芯国际和长江存储 [1] - 半导体掩膜版:一期产线(130-40nm)将于2026年全面投产 二期产线(40-28nm)计划于2026年启动建设 [1] - 先进封装材料:PSPI一期(产能259吨/年)预计2026年投产或量产 目前已通过盛合晶微验证并导入华为昇腾供应链 [1] - PCB及光引发剂:南通基地的PCB光刻胶光引发剂和半导体级PAG将于2026年满产 常州基地的环保型光引发剂和UV-LED树脂新产能计划2026年投产 [1] 公司项目推进计划 (2027年) - 半导体掩膜版:二期(40-28nm)产线预计2027年建成投产 [2] - 先进封装材料:PSPI二期(产能136.2吨/年)计划2027年投产 总产能将提升至395.2吨/年 [3] - OLED材料:通过合资公司强力昱镭 HT/ET有机发光材料计划于2027年实现规模化量产 已与LG化学共建评价实验室 [3] 行业与产能释放节奏 - 产能释放关键年:2026年被描述为半导体材料和先进封装产能集中释放年 [3] - 技术发展重点:2027年重点转向28nm及以上先进制程和OLED领域 [3] - 产能释放依赖因素:产能释放进度高度依赖客户验证结果 尤其是PSPI KrF光刻胶和掩膜版产品 [3]