行业核心观点 - 存储行业已走出低谷 在AI浪潮推动下开启强度罕见的“超级周期” [1] - 市场处于库存极低、价格飙升且资本开支大幅扩张的强劲上升期 [1] 财报季关键信号 - 库存水平极低：SK海力士库存周转天数从2023年一季度的233天峰值大幅下降至127天 成品存储模组库存仅能维持2-3周 远低于10周以上的正常水平 [2] - 产品价格暴力修复：三星电子的DRAM平均售价环比暴涨40% SK海力士的NAND售价环比上涨32% [2] - 资本开支激增：面对AI带来的HBM需求井喷 厂商开启激进扩产计划 SK海力士资本开支预计从2024年四季度的7万亿韩元激增至2025年三季度的12万亿韩元 [2] - HBM4量产进展超预期：三星和SK海力士在下一代HBM4的量产和出货方面进展顺利 [3] - 行业指引极度乐观：行业对长期“存储超级周期”持乐观态度 南亚科技总裁认为当前AI驱动周期比2017-18年的云服务器繁荣周期更好 并指出若短缺持续到2027年价格仍有上涨空间 [3] 市场数据与价格表现 - 行业指标转好：美银“存储指标”在12月已回升至124的“上行周期”水平 而2025年上半年的平均值仅为103 [4] - DRAM现货价格处于历史高位：主流的16Gb DDR5现货价格维持在38美元的历史高位 同比涨幅高达709% 16Gb DDR4价格达到78美元 同比暴涨2445% 价格已触及过去25年来的最高水平 [6] - SSD价格大幅上涨：SSD产品价格周环比涨幅达40% 月环比涨幅达60% [9] - 出货数据强劲：台湾地区1月份南亚科技、威刚、创见和群联等厂商的月度销售额环比增长超过20% 同比翻倍 韩国2月前10天半导体出口额同比激增138% [7] 产业链见闻与设备商动态 - 设备商受益于巨头资本开支：三星和SK海力士创纪录的资本开支让设备商受益 [12] - HBM生产耗时且设备需求大：HBM制造周期长 热压键合环节一台机器每天只能处理几片晶圆 维持5万到10万片/月的产能需要超过100台TCB设备 [12] - 技术路线博弈：HBM混合键合技术的采用可能会推迟 即使是16层或20层的HBM 厂商仍倾向于使用NCF或MR-MUF技术 [12] - 后端设备订单前景向好：虽然目前后端设备订单较弱 但随着HBM4产能爬坡及未来HBM4e推出 预计下半年或2027年将迎来复苏 [12]