文章核心观点 - 面对人工智能驱动的内存芯片需求激增，韩国存储巨头三星电子与SK海力士正加速推进新晶圆厂投产，战略重心由谨慎控货转向积极扩产，以抢占行业“超级周期”红利 [1] 公司扩产计划与进展 - SK海力士计划将其龙仁一期晶圆厂的试运行时间从原定竣工日期（明年5月）前提前至明年2-3月，将在率先建成的洁净室优先投产高性能DRAM和HBM产品 [1][2] - 三星电子将其平泽P4工厂的投产时间从明年一季度提前至今年四季度，生产规划前移约三个月，将专注生产供应紧张的高性能内存 [1][2] - 三星电子计划在P4工厂新建用于HBM的10纳米第六代（1c）DRAM生产线，该产线月产能预计达10万至12万片晶圆 [2] - SK海力士的龙仁一期工厂规模相当于其清州M15X晶圆厂的6倍，外部框架工程已完成约一半，6个洁净室中的3个正在同步建设 [2] 市场需求与供应状况 - 截至今年2月，主要客户的内存芯片需求满足率仅约60%，短缺程度较去年四季度进一步加剧 [1][4] - 三星电子内存出货量中已有约70%被AI数据中心企业吸收 [1][4] - 花旗集团预测，今年DRAM与NAND闪存的供给增速分别为17.5%和16.5%，而需求增速则高达20.1%和21.4%，需求持续超过供应 [1][4] - 由于生产线集中生产高附加值的HBM芯片，通用DRAM的产量相对减少，加剧了供应紧张 [3] 产能增长预测 - 三星电子的DRAM年产能（以晶圆计）预计将从2024年的747万片增至2025年的817.5万片 [3] - SK海力士的DRAM年产能预计将从2024年的511.5万片扩大至2025年的639万片 [3] - 随着新工厂提前投产，2026年产量有望进一步增长 [3] 行业周期与资本支出 - 市场普遍预期供应紧张态势将持续至2027年，晨星和摩根大通等机构也持相同预测 [1][5] - DS投资证券分析，如果2027年供应增长仅为1%，本轮DRAM周期将至少持续到2027年，价格上涨预计将持续至2026年三季度 [6] - 三星电子和SK海力士均表示将增加今年的资本支出以应对内存短缺，三星电子内存事业部副总裁表示计划在2026年大幅扩大设备投资规模 [6] - 尽管企业加大投资并提前投产，但从建设到稳定量产仍需时间，短期内难以完全缓解供需失衡 [6]