公司技术突破 - ASML研究人员宣布提升其关键芯片制造设备的光源功率 该技术突破旨在巩固公司相对于新兴美中竞争对手的优势[1] - 公司将极紫外光光源功率从目前的600瓦提升至1000瓦 首席优势在于更高功率可提升每小时芯片产量并降低单个芯片成本[1] - 公司通过将锡滴数量增加至每秒约100,000个 并使用两个较小的激光脉冲而非单个脉冲来形成等离子体 实现了功率提升[1] - 公司首席技术专家表示 这是一个可在客户处满足所有相同要求的、能持续产生1000瓦功率的系统 而非短暂演示[1] - 公司执行副总裁表示 此举旨在确保客户能够以更低成本继续使用极紫外光刻技术[1] - 公司相信 实现1000瓦功率的技术将为未来持续进步铺平道路 并看到通往1500瓦的清晰路径 且无根本障碍达到2000瓦[1] 产品性能与市场影响 - 公司是全球唯一的商用极紫外光刻机供应商 该设备是台积电、英特尔等芯片制造商生产先进计算芯片的关键工具[1] - 到2030年底 每台机器的硅晶圆处理能力预计将从现在的每小时220片提升至约330片[1] - 光源功率提升预计可使芯片产量到2030年底增加高达50%[1] - 根据芯片尺寸不同 每片晶圆可容纳数十至数千个芯片[1] 行业竞争与地缘政治背景 - 极紫外光刻机对芯片生产至关重要 以致美国两届政府均与荷兰合作阻止其向中国出货 这促使中国启动国家计划自主研发该设备[1] - 在美国 至少有两家初创公司筹集了数亿美元资金以开发ASML技术的美国竞争对手 其中一家获得了特朗普政府的资助[1]