行业核心观点 - 全球存储芯片市场正经历由AI及算力需求驱动的超级景气周期，DRAM与NAND库存处于历史极低水平，价格持续上涨已成定局，且涨势预计贯穿2026年全年 [1][2] - 中国存储产业（如长江存储、长鑫科技）正加速崛起，其技术突破与产能释放有望缓解全球供应紧张，成为影响未来全球存储格局的关键变量 [1][7] 供需状况与库存水平 - SK海力士当前DRAM及NAND整体库存仅剩约4周，处于历史极低水平，所有客户均无法获得足额供应 [2] - 需求端受AI大模型与高效能运算驱动持续井喷，供给端受限于无尘室空间扩张缓慢，产能爬坡受限，导致供需严重失衡 [2][4] - 重复下单现象进一步推高了价格预期 [2] 价格走势与市场预期 - 存储芯片价格自2025年第二季度起触底反弹，多家厂商跟进涨价 [4] - SK海力士于2025年第三季度对高端产品涨价，其中HBM3E报价上调15%至20%，DDR5 16Gb颗粒单月涨幅达102% [4] - 2025年11月起对全品类DRAM及NAND闪存合约价上调10%至15%，2026年1月再度对全品类存储大幅涨价，涨幅20%至60%不等 [4] - 行业普遍预计存储价格上涨核心周期将持续至2026年底，产业高景气度至少延续至2027年，HBM赛道价格拐点可能要到2028年初 [4] - 平安证券电子团队认为，考虑到AI持续高景气，本轮存储周期的强度和持续性有望超过上一轮 [5][6] 厂商动态与业绩表现 - SK海力士2025财年营业收入达97.15万亿韩元，营业利润为47.21万亿韩元，营业利润率高达49%，双双刷新历史纪录 [3] - SK海力士将产能向HBM、DDR5等高附加值产品倾斜，其2026年HBM产能已提前售罄 [2] - 标准型DRAM的极度短缺正大幅提升供应商议价权，公司正与主要客户讨论多年期长期合约以锁定供应与价格 [2] - 铠侠表示其2026年的NAND闪存产能已全部售罄，并预计NAND供应紧张局面将至少持续至2027年 [2] 中国存储产业进展 - 中国已形成以长鑫科技（DRAM）、长江存储（NAND Flash）为龙头，辅以多家利基型及中小容量存储芯片厂商的产业格局 [7] - 由于消费级存储芯片持续涨价与供应紧张，惠普、戴尔、宏碁与华硕等PC制造商正考虑在其产品中采用中国芯片制造商生产的存储芯片 [7] - 业界预测在资本市场加持下，中国存储芯片产能有望在2026年下半年至2027年逐步释放，缓解全球供给紧张局面 [7] - 长鑫科技科创板IPO申请已于2025年12月30日获得受理，计划募资295亿元以提升其在DRAM行业的竞争力 [8] 市场反应 - 2026年2月24日，A股存储概念股持续走高，北京君正、太极实业、香农芯创等个股涨幅均超过5% [1]