Coherent Advances Silicon Carbide Thick Epitaxy Capabilities for High-Voltage AI Datacenter and Industrial Power Applications Up to 10kV
公司技术进展 - 公司宣布其碳化硅外延能力取得进展,能够生产用于下一代AI数据中心和工业电力应用的、高达10kV的功率器件 [1] - 公司最新的150mm和200mm厚外延平台支持生产高达10kV的器件架构,并已展示出超越10kV的能力,从而在严苛工作环境中实现性能提升 [3] - 新的厚外延能力使客户能够为兆瓦级数据中心和工业基础设施开发更紧凑、更节能的功率转换系统,同时满足大规模部署的可靠性要求 [3] 市场需求与驱动因素 - 工业电气化加速,推动可再生能源、铁路、快速充电基础设施和电网基础设施等领域对更高效、更高电压电力系统的需求上升 [2] - AI工作负载的增长正驱动数据中心对超高效率、高功率密度架构的需求,其中每一点转换效率的提升都能降低能耗和运营成本 [2] - 下一代数据中心电力架构和高压工业系统是碳化硅应用采纳的关键驱动力 [4] 应用与客户价值 - 公司的技术使客户能够在关键应用(如能源基础设施、大容量不间断电源和AI数据中心的高级配电系统)中实现更高的效率和功率密度 [4] - 公司持续扩展其碳化硅技术组合,从衬底到先进外延,以支持工业、汽车和能源市场(包括快速增长的高效数据中心电力系统领域)的客户 [4]