台积电CoPoS先进封装技术量产规划 - 台积电下一代先进封装技术CoPoS预计于2028年下半年进入量产阶段[1] - 该技术的核心目标是改善超大型AI芯片封装的量产经济性，适用于掩模尺寸超过9.5倍以上的封装需求[1] 技术应用与首批潜在客户 - 英伟达规划中的下一代AI芯片Feynman有望成为CoPoS技术的首批采用者[1] - 若时间节点吻合，英伟达Feynman芯片将与CoPoS在2028年下半年的量产窗口形成对接[2] 玻璃核心基板技术架构 - CoPoS采用以玻璃为核心层的三层架构，上下两侧分别覆盖ABF增层（ABF-GCP）[3] - 玻璃加工涉及TGV制作、铜填充及金属化等关键工艺，技术难度较高[3] - 技术使用310×310毫米的临时玻璃载板，以及用于测试的250×250毫米和用于量产的510×515毫米玻璃面板[3] 关键技术澄清 - 澄清误解：玻璃在CoPoS中并非中介层，互连功能由芯片侧的RDL以及玻璃核心基板侧的TGV和ABF增层共同承担[4] - 澄清误解：玻璃与ABF在基板堆叠中共存，并非替代关系[4] - 澄清误解：芯片是附着在玻璃核心基板的ABF增层表面，而非直接接触玻璃[4] 技术竞争与市场影响 - CoPoS技术预计将持续巩固台积电在先进封装领域的竞争优势，这一优势预计可维持至2032年前后[4] - 该技术将为台积电在AI芯片封装市场的长期地位提供支撑[4]