文章核心观点 美国政府宣布根据《芯片与科学法案》向格芯（GlobalFoundries）提供约15亿美元直接资金，部分资金将用于佛蒙特州埃塞克斯章克申的Fab 9工厂，该投资对美国发展混合信号和模拟技术等关键国内能力具有重要意义 [1] 资金相关 - 美国政府宣布根据《芯片与科学法案》向格芯提供约15亿美元直接资金 [1] - 大部分资金将用于纽约州马耳他工厂的扩建，部分用于佛蒙特州埃塞克斯章克申的Fab 9工厂的振兴 [1] Fab 9工厂情况 - Fab 9工厂于2015年从IBM收购，20世纪90年代末曾是IBM的主要工厂 [2] - Fab 9工厂提供一些独特的工艺技术，包括硅基氮化镓（GaN）和硅锗（SiGe） [2] 硅基氮化镓（GaN）技术 - GaN是宽带隙半导体，能处理更高电压、在更高温度下运行，适用于快速充电的电力电子设备和电动汽车充电等应用 [2] - GaN中电子移动速度比硅快，其器件开关速度快，对手机无线电组件、5G和未来6G技术有重要价值 [2] - GaN是化合物半导体，制造比传统纯硅晶圆更难，通常通过金属有机气相外延（MOVPE）工艺在蓝宝石等衬底上沉积薄膜来制造LED [3] - 将GaN沉积在硅衬底上有成本低、可与硅电路集成等优势，但存在晶格和热失配等技术挑战 [3] - Qorvo等公司是硅基GaN的大用户，用于制造智能手机的无线电前端等产品 [4] 硅锗（SiGe）技术 - 与传统硅相比，SiGe因电子迁移率高，适合制造高频设备，适用于电信应用 [4] - 格芯拥有一系列用于制造射频功率放大器的SiGe工艺，这类设备用于手机和无线电基站 [4] 战略意义 - 美国政府已资助埃塞克斯章克申的工作，关键客户如雷神公司与格芯合作 [5] - 格芯的纽约和佛蒙特工厂参与美国国防部可信铸造计划数十年，安全制造从WiFi到5G到先进卫星通信等各种无线通信所需的关键芯片，具有重要战略意义 [5] - 美国在此领域仍有领先能力，现在是投资的好时机 [6]