公司动态 - STMicroelectronics宣布在意大利卡塔尼亚建设全球首个完全集成的碳化硅（SiC）制造设施，包括功率器件和模块的生产、测试和封装 [2] - 新设施将与同一地点的SiC衬底制造设施结合，形成ST的碳化硅园区，实现公司在单一地点大规模生产SiC的愿景 [2] - 该碳化硅园区将成为ST全球SiC生态系统的中心，整合从衬底开发到模块组装的整个生产流程，并包括工艺研发、产品设计和先进研发实验室 [3] - 新设施预计2026年开始生产，到2033年达到满负荷生产，每周可生产15,000片晶圆，总投资约50亿欧元，其中20亿欧元由意大利政府根据欧盟芯片法案提供 [4] 行业趋势 - 碳化硅（SiC）是一种关键化合物材料，具有比传统硅更宽的带隙、更好的导热性、更高的开关速度和更低的损耗，特别适用于高压功率器件的制造 [5] - SiC功率器件在电动汽车、快速充电基础设施、可再生能源和各种工业应用中具有显著优势，能够提供更高的电流和更低的泄漏，从而提高能源效率 [5] - 随着汽车和工业客户向电气化转型并寻求更高的能源效率，SiC器件的需求正在增长 [2][3] 技术优势 - ST在SiC领域拥有25年的研发经验，拥有大量关键专利，卡塔尼亚作为ST最大的SiC研发和制造基地，长期以来一直是创新的重要场所 [6] - 新设施将采用200mm技术，实现从衬底、外延生长到前端晶圆制造和后端模块组装的全面集成，提升产量和性能 [3] - ST目前在其卡塔尼亚和新加坡的150mm晶圆生产线上制造高产量SiC产品，并在中国重庆建设200mm晶圆生产设施，以服务中国市场 [9] 战略合作 - ST与卡塔尼亚大学和意大利国家研究理事会（CNR）建立了长期成功的合作关系，卡塔尼亚的生态系统将进一步加强其作为全球SiC技术能力中心的角色 [6][8] - ST的晶圆生产设施得到摩洛哥Bouskoura和中国深圳的汽车认证高产量组装和测试操作的支持 [9]