公司动态 - Navitas Semiconductor 宣布推出新一代 Gen-3 'Fast' (G3F) 650 V 和 1,200 V SiC MOSFETs 产品组合，适用于 AI 数据中心电源、车载充电器、电动汽车快速路边充电器和太阳能/储能系统等高功率应用 [4] - G3F 系列产品采用专有的“沟槽辅助平面”技术，提供比竞争对手更低的 RDS(ON) 和更高的效率，在高温下比竞争对手低 20% 的 RDS(ON) [8][9] - G3F 系列产品在硬开关性能方面比竞争对手提高了 40%，使下一代 AI 电源单元的功率提升至 10 kW，机架功率从 30 kW 提升至 100-120 kW [5] - 针对电动汽车市场，1,200 V/34 mOhm G3F FETs 使 Navitas 的新型 22 kW 双向车载充电器和 3 kW DC-DC 转换器实现了 3.5 kW/L 的功率密度和 95.5% 的峰值效率 [6] - Navitas 最新的 4.5 kW 高功率密度 AI 服务器电源参考设计展示了 650 V 40mOhms G3F FETs，实现了 138 W/inch³ 的功率密度和超过 97% 的峰值效率 [11] 技术优势 - G3F GeneSiC MOSFETs 具有最高的 100% 测试雪崩能力，短路耐受时间延长 30%，阈值电压分布紧密，易于并联 [1] - G3F MOSFETs 提供高效率和高性能，使外壳温度降低 25°C，寿命比其他供应商的 SiC 产品长 3 倍 [8] - G3F 系列产品在硬开关性能方面比竞争对手提高了 40%，支持高达 600 kHz 的开关速度 [10] 市场应用 - G3F 系列产品适用于 AI 数据中心电源、车载充电器、电动汽车快速路边充电器和太阳能/储能系统等高功率应用 [4] - 针对电动汽车市场，1,200 V/34 mOhm G3F FETs 使 Navitas 的新型 22 kW 双向车载充电器和 3 kW DC-DC 转换器实现了 3.5 kW/L 的功率密度和 95.5% 的峰值效率 [6] - Navitas 最新的 4.5 kW 高功率密度 AI 服务器电源参考设计展示了 650 V 40mOhms G3F FETs，实现了 138 W/inch³ 的功率密度和超过 97% 的峰值效率 [11] 公司背景 - Navitas Semiconductor 是唯一一家专注于下一代功率半导体的公司，成立于 2014 年，拥有超过 250 项已发布或待批的专利 [13] - 公司是 GaNFast™ 功率 ICs 的领导者，集成了氮化镓 (GaN) 功率和驱动，以及控制、传感和保护功能，以实现更快充电、更高功率密度和更大节能 [13] - Navitas 是全球首家获得 CarbonNeutral® 认证的半导体公司 [13]