小于 1nm 新工艺,有望绕开 EUV 光刻机限制 小于 1nm 新工艺问世 [4][6][7][8] - 研究团队开发出宽度小于 1nm 的一维金属材料,并将其应用于二维电路的开发中,这是对传统半导体技术的巨大挑战,也是对摩尔定律未来走向的重新定义。 - 研究团队利用二维半导体二硫化钼(MoS2)的镜像双边界(MTB)作为栅极电极,实现了宽度仅为 0.4nm 的栅极,彻底打破了光刻工艺的限制,为半导体超小型化开辟了新的道路。 有望绕开 EUV 光刻机限制 [7][8][10] - 随着晶体管栅极尺寸逼近物理极限,传统硅基材料和技术路径遭遇了瓶颈。由于光刻分辨率的限制,一直无法将栅极长度减小到几纳米以下,例如没有 EUV 光刻机,就很难实现 5nm、3nm 及以下的半导体制造工艺。 - 该新工艺利用二维半导体二硫化钼(MoS2)的镜像双边界(MTB)作为栅极电极,实现了宽度仅为 0.4nm 的栅极,彻底打破了光刻工艺的限制,为半导体超小型化开辟了新的道路。 行业表现 电子指数走势 [13][14][16] - 7月1日至7月5日,上证指数下跌-0.59%,中信电子板块下跌-3.03%。 - 年初至今,上证指数下跌-0.84%,中信电子板块下跌-12.28%。 各行业涨跌幅 [17][18][19][21][22] - 7月1日至7月5日,电子行业指数涨幅排名处于倒数第三位。 - 年初至今,电子行业下跌-12.28%,位居各行业中下游水平。 电子细分行业表现 [24][25] - 7月1日至7月5日,电子细分行业如被动元件、显示零件、分立器件、安防、LED等均出现下跌,跌幅较大。 投资建议 [5] - 我们看好人工智能带来的硬件投资机会,特别是算力芯片的投资机会。推荐关注A股与算力芯片、高端存储相关的公司。 风险提示 [5] - 人工智能落地不及预期。