报告行业投资评级 - 行业投资评级为“领先大市(维持)” [2] 报告的核心观点 - HBM加速迭代叠加美国限制出口，国产自主可控重要性日益凸显 [2] 根据相关目录分别进行总结 投资要点 - SK海力士将于25H2采用台积电3nm生产HBM4，HBM4E将引入混合键合技术 [2] - 三星同样预计在25H2提供HBM4样品，批量生产计划在26财年 [2] - 至2024年底，三星、SK海力士和美光合计HBM月产能将达30万片，其中三星HBM增产最为激进 [2] - 预计2025年全球HBM市场规模将上看300亿美元，HBM将占DRAM晶圆产能约15%至20% [2] - HBM3E及之前的HBM都是采用DRAM制程的基础裸片，而HBM4基础裸片将采用台积电3nm的先进逻辑工艺 [2] - 随着HBM堆叠层数逐渐增加，存储厂商正积极推动在HBM4中引入无助焊剂键合技术 [2] - 为应对AI浪潮带来的强劲需求，英伟达已与台积电等供应链合作伙伴提前启动了下一代Rubin平台的研发工作 [2] - 2024年12月2日，美国商务部工业和安全局修订了《出口管理条例》，新的出口限制包括限制向中国出口先进HBM [2] 投资建议 - 建议关注HBM产业链相关标的：封测环节（通富微电、长电科技）、设备环节（拓荆科技、华海清科、芯源微、华卓精科）、材料环节（华海诚科、天承科技、艾森股份、联瑞新材） [4]