报告行业投资评级 - 推荐|首次 [5] 报告的核心观点 - IGBT供需改善，或进入回暖阶段，价格已至相对底部，未来下游需求复苏将带动市场回暖 [1][11] - 中国IGBT自给率将逐步提高，碳化硅产能加速释放使价格下滑，预计2028年中国较全球均价形成900 - 1000元价差 [2][12] - 中低端车型提振IGBT需求，800V平台渗透提升带动SiC加速上车，预计2026年碳化硅模组与IGBT模组价差收窄至1.5倍以下 [3][13] - 海外大厂占据市场主导，中国厂商份额持续提升，未来本土企业有望在国际市场占更高份额 [13][55] 根据相关目录分别进行总结 总体观点 - IGBT出货量24Q2正向增长，行业衰退尾声，价格下跌幅度收窄，供需趋于平衡，未来下游需求复苏将带动市场回暖 [11] - 国内IGBT产量增长但自给率低，未来厂商扩产和技术突破将提高自给率；2024年碳化硅或供过于求，价格下探，2025年是8英寸衬底释放节点 [11] - 中低端车型竞争激烈，价格下沉和智能驾驶下沉将提升IGBT用量需求；30万以上纯电动车型比重提升等因素将推动碳化硅模组在中高阶车型渗透率提升，2026年价差有望收窄 [12][13] - 海外大厂主导IGBT市场，中国厂商份额提升；碳化硅衬底和外延片市场海外厂商主导，中国企业份额有望提升 [13][15] IGBT行业迎来改善，SiC加速上车 - 功率半导体是电子产业链核心器件，应用广泛，按集成度分为分立器件、功率模块和功率IC [16] - 功率半导体上游为原材料和设备，中游制造环节有Fabless和IDM模式，全球模拟芯片龙头多为IDM模式，中国IDM功率器件厂商处于追赶阶段 [18] - 下游需求复苏使功率器件销售额回暖，中国新能源汽车需求强劲，带动功率器件销售增速好于全球 [20][22] - IGBT由BJT和MOS组成，应用广泛，全球产值预计从2023年的74.9亿美元提升至2030年的157.8亿美元，新能源汽车和工业控制是主要应用领域 [23] - IGBT出货量自23Q4回暖，24Q2正向增长，价格跌幅收窄，预计2024年下半年开启修复周期 [25][27] - 碳化硅是第三代半导体核心材料，优势显著，市场增长来自新能源汽车，预计2029年市场规模攀升至98.73亿美元 [28] 产能端：中国IGBT自给率提升，碳化硅产能加速带动价格下滑 - 中国IGBT产能和自给率持续提升，预计2019 - 2024年产量CAGR达20.27%，未来自给率将逐步攀高 [31] - 2024年全球碳化硅或供过于求，中国产能增长集中于2025年后且增速高于全球，价格已下跌35%，未来或持续下探 [33] - 2022 - 2024年上半年中国碳化硅衬底产能增幅达286%，预计2028年全球均价降至3200元/片，中国降至2300元/片 [35] - 产业升级和技术创新压缩碳化硅成本，2025年是8英寸衬底释放节点，海外大厂计划实现量产 [37] - 中国碳化硅头部厂商加速产能布局，技术迭代向8英寸升级，推动产业向大尺寸、高端化迈进 [42] 需求端：中低端车型提振IGBT需求，800V平台渗透提升带动SiC加速上车 - 全球新能源汽车销量和渗透率持续提升，预计2025年达2240万辆，中国2025年销量将达1650万辆，功率半导体迎来增长机遇 [44][45] - 新能源汽车IGBT价值与车型定位、系统功率需求相关，不同车型价值量差异大 [47] - 中国中低端车型占比提升，竞争加剧和智驾系统下沉使车厂注重成本管控，预计2025年IGBT仍有较大增长空间 [49] - 碳化硅车型渗透加速得益于800V高压平台车型增长，20 - 30万纯电车型碳化硅渗透率较高，未来中高阶车型渗透率将提升 [50][51] - 目前SiC价格是IGBT的2 - 3倍，预计2026年价差收窄至1.5倍以下，有望打开规模化应用空间 [53] 竞争格局：海外大厂占据市场主导，中国厂商份额持续提升 - 海外IGBT厂商主导市场，分立式IGBT CR10约80%，中国士兰微份额从2019年的2.2%提升至2022年的3.4% [55] - IGBT模块全球Top 10中大部分为海外厂商，斯达半导和时代电气份额提升，未来中国企业有望占更高份额 [55][56] - 美国企业在碳化硅衬底产业占龙头地位，中国天科合达、天岳先进分别占5%和3%份额，未来有望提升 [59] - 外延片市场集中度高，中国瀚天天成市场份额为全球第三 [59] 建议关注 - 建议关注斯达半导、时代电气、士兰微、华润微、三安光电、捷捷微电、扬杰科技、新洁能、东微半导等A股上市公司，并给出业绩预测、估值预测及业务介绍 [62]