报告行业投资评级 - 推荐|首次 [5] 报告的核心观点 - IGBT供需改善或进入回暖阶段，出货量变价改善，24Q2回归正向增长，价格自24Q1同比下滑近30%后趋稳，供需平衡价格见底 [1][11] - 中国IGBT自给率提升，碳化硅产能加速带动价格下滑，2024年碳化硅或供过于求，海外2025年8英寸衬底产能释放，中国产能提升快，预计2028年较全球均价有显著价差 [2][11] - 中低端车型提振IGBT需求，800V平台渗透提升带动SiC加速上车，2025年新能源汽车销量和渗透率攀高，中低端车型带动IGBT需求，碳化硅成本下降推动其在中高端车型渗透率提升，预计2026年与IGBT模组价差收窄 [3][12] 根据相关目录分别进行总结 总体观点 - IGBT出货量23Q4边际改善，24Q2正向增长，行业衰退尾声，价格下跌幅度收窄，供需平衡价格见底，下游需求复苏将带动市场回暖 [11] - 国内IGBT产量增长但自给率低，未来厂商扩产和技术突破将提高自给率；2024年碳化硅产业或供过于求，海外2025年8英寸衬底产能释放，中国产能提升快，价格将持续下滑 [11][12] - 中低端车型竞争激烈价格下沉，智能驾驶下沉，销量占比提升将提振IGBT用量需求；30万以上纯电动车型比重提升、400V向800V升级，碳化硅成本下降，将推动其在中高阶车型渗透率提升，预计2026年与IGBT模组价差收窄 [12][13] - 海外大厂占据IGBT市场主导，中国厂商份额提升；碳化硅衬底和外延片市场主要由海外厂商主导，中国企业技术突破和产能释放有望提升市场份额 [13][15] IGBT行业迎来改善，SiC加速上车 - 功率半导体是电子产业链核心器件，可实现电能转换和电路控制，应用广泛，按集成度分为分立器件、功率模块和功率IC [16] - 功率半导体上游为原材料和设备，中游为制造环节，全球模拟芯片龙头厂商多为IDM模式，中国IDM功率器件厂商偏少 [18] - 下游需求复苏，功率器件销售额回暖，中国新能源汽车需求强劲，功率器件销售增速好于全球，未来全系车型搭载智能驾驶将带动销售额持续改善 [20][22] - IGBT由BJT和MOS组成，应用广泛，全球产值预计从2023年的74.9亿美元提升至2030年的157.8亿美元，CAGR达11.23%，新能源汽车和工业控制是主要应用领域 [23] - IGBT出货量自23Q4回暖，24Q2正向增长，价格跌幅收窄，处于近三年底部区间，预计2024年下半年价格开启渐进式修复周期 [25][27] - 碳化硅是第三代半导体核心材料，具有耐高压、耐高频、高热导率等优势，市场增长动能来自新能源汽车，预计2029年市场规模攀升至98.73亿美元，CAGR 24% [28] 产能端：中国IGBT自给率提升，碳化硅产能加速带动价格下滑 - 中国IGBT产能和自给率持续提升，预计从2019年的1550万只提升至2024年的3900万只，CAGR达20.27%，但2023年自给率不足35%，未来自给率将逐步攀高 [31] - 2024年全球碳化硅产业或供过于求，中国产能增长集中于2025年后且增速高于全球，1200V/40mΩ碳化硅价格已下跌35%，未来价格或持续下探 [33] - 2022 - 2024年上半年中国6/8英寸碳化硅衬底年产能从90万片跃升至348万片，增幅286%，预计2028年全球均价下跌至3200元/片，中国下跌至2300元/片 [35] - 产业升级与技术创新压缩成本空间，碳化硅衬底成本有望下滑，推动器件价格向硅基IGBT靠拢 [35] - 2025年或为碳化硅8英寸衬底释放重要节点，海外大厂纷纷建设8英寸工厂，升级衬底尺寸可降低成本，抵消价格下滑业绩压力 [37] - 中国碳化硅头部厂商加速产能布局，多家企业计划将产能提升至数十万片甚至百万片量级，头部厂商推动产业向大尺寸、高端化迈进 [42] 需求端：中低端车型提振IGBT需求，800V平台渗透提升带动SiC加速上车 - 全球新能源汽车销量和渗透率持续提升，预计2025年达2240万辆，2030年达4405万辆；中国是最大单一市场，2024年销量1285.8万辆，预计2025年达1650万辆，功率器件将随市场扩容增长 [44][45] - 新能源汽车IGBT价值分布有结构性差异，主驱电控系统价值量约1000元，级别越高搭载功率模块越多价值量越高 [47] - 中国中低端车型（20万元以下）占比逐步提升，2025年各大车厂抢占市场份额，价格下滑，智驾系统下沉，中低端车型使用SiC可能性低，预计2025年IGBT有较大增长空间 [49] - 碳化硅车型渗透加速得益于800V高压平台车型销量增长，中国800V平台数量和搭载碳化硅车型数量占比提升，主流车企800V车型几乎全部搭载碳化硅 [50] - 30万以上混动车型和20万以下车型碳化硅渗透率低，20 - 30万纯电车型碳化硅渗透率超70%，未来碳化硅成本下降将推动其在中高阶车型渗透率提升，预计2026年与IGBT模组价差收窄至1.5倍以下 [51][53] 竞争格局：海外大厂占据市场主导，中国厂商份额持续提升 - 海外IGBT厂商占据市场主导，分立式IGBT市场CR10约80%，全球Top 10中仅士兰微一家中国公司，市场份额从2019年的2.2%提升至2022年的3.4% [55] - IGBT模块全球Top 10中大部分为海外厂商，2019 - 2022年斯达半导市场份额从2.5%提升至4.3%，时代电气从2021年的2.0%提升至2022年的4.1% [55] - 中国企业与国际企业有技术差距，但随着技术突破、产能释放和政策红利，本土企业有望在国际市场占更高份额 [56] - 美国企业在碳化硅衬底产业格局中占龙头地位，海外厂商占全球86%以上，中国天科合达、天岳先进分别占5%和3%，未来国内企业市场份额有望提升 [59] - 外延片市场集中度较高，全球CR3为74%，中国厂商瀚天天成市场份额为15%，位居第三 [59] 建议关注 - 建议关注斯达半导、时代电气、士兰微、华润微、三安光电、捷捷微电、扬杰科技、新洁能、东微半导等A股上市公司，并给出了各公司的市值、营收增速、预测PE、EPS等业绩预测和估值预测信息 [62][63]