报告行业投资评级 未提及 报告的核心观点 - 碳化硅耐高温、高压,渗透率提升空间大,海外大厂收缩,竞争格局或收敛 [3] - 衬底、外延环节国产厂商弯道超车趋势已现,器件环节国产厂商竞速发展 [3] - 未来需关注衬底端AR眼镜打开第二增长曲线、价格端外延+衬底在产业链制造成本占比、器件端国内新能源车上碳化硅节奏 [3] - 建议关注国产衬底、外延、器件环节相关厂商 [3] 根据相关目录分别进行总结 海外大厂收缩,SiC竞争格局或收敛 - 碳化硅具优势,渗透率提升,2024年SiC材料渗透率从2020年4%提升到15% [3][8] - 海外大厂变动,如Wolfspeed关闭工厂、启动破产保护,瑞萨电子终止工厂计划等 [3][11] 国内厂商在各环节打破垄断 衬底 - 晶体生长是核心难点,生长速度慢、对参数要求高 [15] - 分为导电型和半绝缘型衬底,应用于不同领域 [15] - 2020年衬底与外延占70%成本,近年占比下降,预计最终占比在40%以内 [16][19] - AR眼镜打开第二增长曲线,预计2027年6英寸半绝缘SiC衬底需求量超25万片,2030年8英寸衬底需求量有望超100万片 [23] 外延 - 是在衬底上生长特定单晶薄膜,对器件性能影响大,处产业链中间环节 [24][26] - 国内厂商逐渐占据领先地位,2020年由Wolfspeed和昭和电工双寡头垄断,2024年瀚天天成外销市场份额达32% [32] SiC市场及国产厂商 - 下游应用广泛,新能源拉动需求,全球碳化硅功率器件市场规模预计2021 - 2027年CAGR达34% [34][36] - 国产碳化硅厂商竞速发展,比亚迪半导体等企业表现强劲 [37] 标的梳理 器件环节 - 芯联集成 - SiC产品迭代实力强,平面型产品参数国际领先,8英寸SiC预计下半年规模量产 [42] - 2024年碳化硅业务收入10.16亿元,同比增长超100%,产线产能达8000片/月,产能利用率饱满 [42] IDM - 基本半导体 - 成立于2016年,专注碳化硅功率器件研发生产,核心优势是垂直整合的IDM模式 [49] - 产品线涵盖分立器件、功率模块及栅极驱动,2024年在全球及中国碳化硅功率模块市场排名靠前 [46] - 已为多家车企多款车型提供车规级模块,累计出货量超9万件 [46]
化合物半导体系列报告之三:碳化硅:国内弯道超车趋势已现