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SK海力士:FY2025Q2业绩点评及业绩说明会纪要:AI领域需求高增,营收及利润均创历史新高
华创证券·2025-07-25 15:24

报告公司投资评级 报告未提及公司投资评级相关内容 报告的核心观点 - 2025Q2,SK海力士营收、利润均创历史新高,主要因大型科技公司对人工智能投资增长及客户预先采购需求增长,推动DRAM、NAND产品出货量增长 [1][2] - 终端市场整体需求上半年强劲增长且价格环境有利,下半年大幅回调可能性低,PC/智能手机因AI应用普及加速换机潮,服务器需求因科技大厂投资和AI代理推动增长,NAND市场人工智能驱动需求增长不显著但节能SSD解决方案采用有望扩大 [3] - 公司在技术/产品上有亮点,维持HBM销售额同比翻倍目标,推进HBM4性能优化,扩大多种DRAM产品销售并规划相关量产,扩大采用QLC的高容量企业级SSD销售并计划开发新产品 [4][11] - 公司预计25Q3的DRAM位元出货环比中低个位数增长,NAND位元出货环比增长有限 [5][20] 各部分内容总结 SK海力士2025年二季度经营情况 总体营收情况 - 25Q2营收22.23万亿韩元,同比增长35%,环比增长26%,高出市场预期,季度收入创历史新高;毛利率54%,同比提升8pct,环比下降3pct;净利润7万亿韩元,同比增长70%,环比下降14%;净利率31%,同比提升6pct,环比下降15pct [1][2][9] 技术/产品亮点 - HBM维持销售额同比翻倍目标,2025年3月31日交付全球首款HBM4样品并协同优化性能 [4][11] - DRAM扩大多种终端需求增长型产品销售,计划2025年内启动LPDDR服务器模组供应并完成24Gb GDDR7量产准备 [4][11] - NAND维持审慎投资策略,扩大采用QLC的高容量企业级SSD销售,2025年5月完成基于321层NAND的UFS 4.1开发,计划年内开发321层NAND消费级固态硬盘及下一代eSSD [11] CAPEX - M15X工厂于Q4按计划开放,26年开始生产包含HBM在内的DRAM产品 [4][12] - 龙仁工厂一期建设预计于27年Q2完工 [4][12] - 25年资本支出预计高于之前指引水平,以确保为26年的HBM客户提供支持 [4][12] 按产品营收划分 DRAM - DRAM收入占总营收的77%,12层堆叠HBM3E产品销售全面拓展,服务器和PC市场需求强劲,出货量环比增长25%左右,传统DRAM产品销售大幅增长,ASP因低单价产品销量增长只实现低个位数增长 [13] NAND - NAND收入占总营收的21%,位元出货量远超预期,增长幅度超过70%,各应用领域需求均增长,因解决方案产品价格疲软,ASP环比高个位数下跌 [14] 公司终端需求展望 PC/手机市场 - PC/智能手机因AI应用普及加速换机潮,单机内存容量需求提升以支持AI功能 [3][17] 服务器市场 - 科技大型公司投资加速,通用服务器因换机周期和新CPU采用需求增长,大厂推出AI代理推动高性能、高密度内存(如HBM)需求激增,政府与企业AI投资将成新增长点 [3][18] NAND - NAND市场人工智能驱动的需求增长不显著,但随着功耗因素在人工智能服务器中更重要,预计节能SSD解决方案采用将扩大 [3][19] FY2025Q3公司指引 - 预计25Q3的DRAM位元出货环比中低个位数增长,NAND位元出货环比增长有限 [5][20] Q&A环节 - 人工智能市场快速增长,HBM需求有很大增长潜力,未来能持续增长 [23] - 2026年HBM供应与主要客户谈判按计划进行,客户项目多样化,公司密切谈判产品组合和定价并准备供应扩张 [24] - 二季度出货超预期因市场需求旺盛、关税政策不确定和传统产品停产,下半年供需剧烈波动可能性小,公司确保业务平稳运行 [25] - 公司在遵守法规前提下保障中国业务供应链畅通,推进中国晶圆厂运营,重点为长期客户提供传统产品支持 [26] - 二季度NAND出货量增长超指引,因企业级固态硬盘需求增长、超大规模客户扩大投资、关税不确定性和中国地区移动设备堆栈构建需求增长 [27] - 公司努力将HBM4成本增加反映在定价策略中,通过与客户建立最优定价保持盈利水平 [28][29] - 近期DDR4价格飙升是短期供应担忧,公司处于从DDR4向DDR5过渡阶段,未来逐步淘汰DDR4,为特定客户提供支持 [30] - 25年投资重点确保半导体支持商定供应量,新增资金主要用于HBM相关设备采购,最终规模待与客户谈判后确认 [31] - M15X计划今年第四季度投产,明年启动全面量产,公司根据客户需求量数据逐步提升产能,向MCA Nano转换预计下半年开始,明年完成 [32][33] - NAND市场增长放缓现状会持续一段时间,未来两三年内存储设备投资需求或增加,eSSD可能成为计算缓存一部分 [34] - 公司研发垂直栅极平台和3D DRAM技术,过渡期推进传统微缩工艺,新技术若成功将支撑未来HBM生产 [35] - 若大型GPU客户恢复对中国发货且需求与公司供货能力匹配,公司有能力抓住机会 [36] - 公司凭借企业文化和团队协作优势,有信心保持HBM市场领先地位,将开发细分产品,为AI生态提供定制化解决方案 [37]