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存储芯片周度跟踪:现货市场整体价格趋稳,NAND产能加速切换-20250911
甬兴证券·2025-09-11 16:14

行业投资评级 - 增持(维持) [6] 核心观点 - NAND产能加速切换至新制程 旧制程产出明显缩减 尤其是256Gb TLC NAND供应大幅减少推动现货价格逐渐上扬 而新旧制程切换下高容量NAND供应充足使得1Tb QLC/TLC Flash Wafer价格出现向下调整 [1] - DRAM产业2025年第二季整体营收达316.3亿美元 环比增长17.1% 主要受益于一般型DRAM合约价上涨 出货量显著增长及HBM出货规模扩张 [2] - HBM领域SK海力士预计到2030年定制HBM市场规模将增长至数百亿美元 HBM4产品将采用客户特定逻辑芯片或基础芯片技术 [3] - 渠道DDR5内存条因资源供应趋紧价格继续小幅上涨 存储现货市场整体价格趋稳 DDR4与DDR5价差已缩小至20%以内 但渠道内存条仍以DDR4为基本盘 [3] 存储芯片周度价格跟踪 - NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-5.97%至6.14% 平均涨跌幅为-0.03% 其中12个料号价格持平 5个上涨 5个下跌 [1] - DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.24%至2.76% 平均涨跌幅为0.68% 上周13个料号上涨 4个下降 1个持平 [2] 行业新闻 - TrendForce报告显示2025年第二季DRAM产业营收环比增长17.1%至316.3亿美元 主要因合约价上涨 出货量增长及HBM扩张 [26] - CFM报道指出原厂NAND产能加速向新制程切换 旧制程产出缩减推动256Gb TLC NAND价格上扬 而高容量NAND供应充足导致1Tb QLC/TLC Flash Wafer价格下调 [26] - SK海力士预计2030年定制HBM市场规模达数百亿美元 HBM4将采用差异化技术构建 [27] - 渠道市场DDR5资源供应趋紧推动价格小幅上涨 DDR4处于高位横盘 NAND Flash价格分化明显 低容量供应吃紧推升256Gb及以下容量Flash Wafer价格 [27] 公司动态 - 江波龙SOCAMM专为AI数据中心设计的高性能内存产品已成功点亮 可提供数倍于传统RDIMM的带宽 [30] - 华海诚科子公司衡所华威产品覆盖基础到先进封装多个层次 在汽车电子 新能源 第三代半导体等领域处于领先地位 [30] - 东芯股份参股公司砺算科技已向部分客户送样 持续优化产品并推进生产销售工作 [31] 公司公告 - 恒烁股份截至2025年8月31日回购股份813,407股 占总股本0.98% 回购金额29,313,021.08元 [33] - 兆易创新股权激励股份上市流通数为2,286,334股 上市流通日期为2025年9月10日 [33] 投资建议 - 持续看好受益先进算力芯片发展的HBM产业链 建议关注赛腾股份 壹石通 联瑞新材 华海诚科等 [4] - 存储芯片受益供应端推动涨价 库存回归正常及AI带动需求上升 推荐东芯股份 建议关注兆易创新 恒烁股份 佰维存储 江波龙 德明利等 [4]