行业投资评级 - 报告对存储行业给出“推荐”评级 [7] 核心观点 - 存储行业迎来“景气周期”，AI需求拉动存储价格持续看涨，驱动行业供需偏紧 [1][9][15] - AI时代数据量从MB级向EB/ZB级跃迁，推动存储需求激增，并加速存储介质从HDD向SSD/DRAM演进 [2][18][21][22] - 推理端“以存代算”成为核心，KV Cache等结构化数据驱动存储体系向HBM/DRAM+CXL+SSD分层架构演进 [2][36] - 供给侧CBA+HBF工艺创新打破内存墙制约，成为存储IDM未来发展的核心方向 [3][40][50] - 存储上行周期带动原厂资本开支提升，半导体设备市场受益于扩产及新架构创新 [3][56][61][64] 存储周期分析 - 2024年至今进入新一轮上行周期，由AI带动服务器/PC高端存储需求增长驱动 [9] - 25Q4一般型DRAM价格预计环比增长8-13%，若加计HBM，涨幅扩大至13-18% [1][15] - 25Q4 NAND Flash合约价预计全面上涨，平均涨幅达5-10% [1][15] - 存储原厂毛利率提升至35%以上时，资本开支增加概率放大，当前行业处于供需偏紧状态 [56] 需求侧分析 - AI生成内容从文本向视频等多模态跃迁，数据量急剧扩大：Sora 2等应用推动2028年数据生成量预计达394 ZB [18][21][22] - 2035年温数据占比有望超70%，数据存储结构从“热-温-冷”三层演变为“热温-温冷”两层，推动SSD替代HDD [26] - HDD交期延长至52周以上，加速CSP将存储需求转向QLC eSSD，2024-2028年eSSD出货量CAGR达24% [28][30][32] - AI推理阶段KV Cache成为核心数据形态，支撑高并发、低延迟Decode，驱动存储分层架构演进 [36] 供给侧创新 - CBA技术通过逻辑芯片与存储芯片键合集成，提升存储密度和性能，预计带来DRAM位密度提升30% [3][40][43] - 长江存储Xtacking架构、合肥长鑫18纳米DRAM等国产技术加快追赶 [3][49] - HBF技术借鉴HBM封装设计，提供8-16倍存储容量和非易失性优势，首代技术可提供4TB VRAM容量，目标2026年下半年送样 [3][50][52][54] - 4F² DRAM、3D NAND等新架构创新依赖刻蚀、沉积、键合设备，推动存储密度持续突破 [64][68][71] 设备市场展望 - 2025年全球NAND设备市场规模预计达137亿美元，同比增长42.5%；2026年达150亿美元，同比增长9.7% [3][61] - DRAM设备销售额2024年增长40.2%至195亿美元，2025年和2026年预计分别增长6.4%和12.1% [61][62] - 刻蚀与沉积设备是存储三维化演进的核心，键合设备成为3D集成技术关键设备 [64][68][71] 投资建议 - 需求侧关注德明利、江波龙、香农芯创、兆易创新 [4][72] - CBA技术带动Logic die代工需求，关注晶合集成、华虹公司 [4][73] - 存储原厂Capex提升利好半导体设备商，关注拓荆科技、北方华创、中微公司、华海清科、精智达、华峰测控、长川科技 [4][73]