行业投资评级 - 电子行业评级为“强于大市”，并予以维持 [1] 报告核心观点 - AI高景气叠加终端产品更新迭代，推动存储市场规模稳步增长，尤其是企业级存储等高端产品需求向好 [3] - 行业需求回暖叠加原厂产能向高端产品倾斜，推动主流存储产品自2025年第二季度起迎来全面涨价，且此趋势有望延续 [3] - 国内相关存储厂商在产品技术和市场客户方面取得突破，有望弥补国内中高端市场供应缺口，经营业绩预计持续改善 [3] 存储行业整体态势 - AI发展推动基础设施/服务器端对企业级存储等高端产品需求持续向好，除HBM需求高景气外，DDR5渗透率逐步提升，eSSD产品也因HDD供应紧缺及QLC颗粒推广而加速渗透 [3] - 传统电子产品如手机、PC的更新迭代带动DRAM和NAND Flash单机容量持续增加，未来AI推理带来的巨大数据存储需求将进一步支撑市场规模稳定提升 [3] - 自25Q2起主流存储产品合约价开始回暖，预计25Q4 DRAM合约价环比上涨13%-18%，NAND Flash合约价环比上涨5%-10% [3][19] - 存储原厂将产能重心转向HBM等高端产品，导致DDR4/LPDDR4X等旧世代产品供应偏紧，预计25Q3 PC/Server/Consumer DDR4合约价将分别环比上涨38-43%/28-33%/85-90%，手机LPDDR4X合约价预计环比上涨38-43% [20][21] DRAM市场分析 - 2024年全球DRAM市场规模达973.7亿美元，同比增长91%，表现优于NAND Flash，主要受AI拉动HBM等高价值产品需求增长驱动 [11] - AI服务器需求强劲，大型CSP将投资重心转向AI基础设施，推动服务器存储位元需求增幅领先，预计2025年服务器在DRAM占比将提升至36%，HBM占比将提升至9% [13] - HBM是AI时代首选的高带宽内存技术，当前主流产品已发展至第五代HBM3e，内存带宽达1.2TB/s，SK海力士在技术和市场份额上处于行业领先位置 [35][39][40] - 2025年全球HBM市场规模预计同比大幅增长100%至340亿美元，到2029年有望达830亿美元，2024年SK海力士以54%的市场份额位居全球第一 [51] - 服务器DDR5内存模组渗透率持续提升，预计2025年全球出货量将达1.57亿根，同比增长84%，占比提升至85.4% [55] NAND Flash市场分析 - AI持续拉升NAND需求，预计2029年全球NAND位元需求将达2236EB，2025-2029年复合年均增长率达21.5% [63] - 服务器成为NAND需求增长核心驱动，预计其NAND需求将从2025年的253EB增长至2029年的668EB，复合年均增长率达27% [66][68] - HDD供应紧缺为eSSD带来替代机遇，由于全球核心HDD制造商未扩大产能，Nearline HDD交期延长至52周，推动eSSD应用渗透加速 [23][69] - AI SSD需求在整个NAND Flash的市场占比有望从2023年的0.2%显著提升至2026年的12% [73] - QLC颗粒凭借性能和能耗优势渗透率稳步提升，预计2024年QLC将贡献NAND Flash位元出货量的20%，2025年占比将进一步扩大 [78] 投资建议 - 建议关注在产品和市场方面取得突破的国内存储厂商，包括江波龙、兆易创新、澜起科技、德明利、香农芯创、佰维存储、开普云 [3][89][90]