核心观点 - 2026年电子行业主线为AI链、存储周期上行及自主可控加速，持续看好AI数据中心拉动的存储涨价周期、全球头部CSP厂自研ASIC落地带动高端PCB需求、国内代工厂及存储IDM扩产受益上游设备商、消费电子端侧AI创新催化产业链 [1] - Scaling Law进入2.0阶段，从预训练拓展至后训练与推理，推动算力需求持续增长，互联组件（光模块/交换机）因GPU集群规模扩大呈现非线性增长 [2][18] - 存储周期受AI数据中心需求拉动及供给受限影响，4Q25 DRAM/NAND价格环比涨幅扩大至23%-28%/5%-10%，预计1H26价格进一步上行 [3][91][92] - 自主可控趋势下，国内晶圆厂加速先进制程产能扩张，2.5D/3D封装市场2025-2029年CAGR达25.8%，存储芯粒国产化带动刻蚀/沉积设备需求提升 [4][111][120][146] AI链：Scaling Law与算力需求 AI模型演进 - Scaling Law从预训练扩展至后训练（强化学习、思维链）和推理阶段，头部模型训练数据量从15T tokens提升至30T以上（如Qwen系列达36T tokens）[18][24] - 海外路径依赖算力投入（如Grok 4后训练算力较Grok 3扩大10倍），国内聚焦架构优化（如DeepSeek动态稀疏注意力、Kimi Muon优化器降低50%算力成本）[31][32] 互联组件需求 - AI算力扩张催生Scale-out（集群互联）、Scale-up（内存池化）、Scale-across（跨数据中心）三大互联需求，DCI市场规模预计从2023年10亿美元增至2028年30亿美元（CAGR 25%）[36][56][59] - GPU数量增长驱动互联组件非线性需求：GPU达4096个时，交换机/GPU比例从4.7%升至7.8%，光模块/GPU比例从2.5倍升至3.5倍 [42][43][45] AI芯片与PCB - 全球八大CSP厂商2026年资本支出预计达6000亿美元（同比增40%），2030年GPU市场规模4724亿美元（2024-2030年CAGR 35.19%）[59][60][63] - AI服务器PCB需求向高多层（14层以上）、高阶HDI迭代，2024年全球AI/HPC领域PCB市场规模60亿美元，2029年预计150亿美元（CAGR 20.1%）[73][76][77] - 2026年算力PCB需求预计达1000亿元，ASIC板卡贡献300亿元增量，CCL材料向M8/M9升级支持单通道224Gbps传输 [86][82] 存储周期：供需结构与价格趋势 价格与供给 - 海外原厂4Q25涨价函频出：美光DRAM涨价20%-30%，三星LPDDR5系列涨15%-30%，闪迪NAND 11月涨价50% [91] - HDD供应短缺（交期52周）加速企业级SSD渗透，2026年DRAM/NAND资本支出增幅保守（14%/5%），产能转向HBM等高附加值产品 [99][100][101] 需求拉动 - 2024年企业级SSD/HBM市场规模262/200亿美元，2027年预计达351/488亿美元（CAGR 10.2%/34.6%）[103][104][105] - AI推理应用拉动NAND需求，KV Cache缓存需求增长（如LLaMA-2-13B模型并发10请求需31.25GB容量），华为等厂商推出AI SSD构建三级缓存体系 [106][107][109] 自主可控：制造、封测与设备 制造与封测 - 中国大陆晶圆厂在成熟制程份额提升（中芯国际/华虹/晶合跻身全球前十），但先进制程份额仅8%（2023年），预计2027年美国份额升至21% [111][112][113] - 2.5D/3D封装市场高速增长，全球/中国芯粒多芯片集成封装2025-2029年CAGR为25.8%/43.7%，台积电CoWoS/SoIC产能加速扩张 [120][124][125][129] 设备技术迭代 - DRAM向3D架构演进，4F²+CBA方案成为方向，Yole预计2029年CBA-DRAM占DRAM产量29% [134][138][143][144] - 3D NAND层数向300层以上突破，刻蚀/沉积设备价值量提升（如高深宽比刻蚀、PE-HARP工艺），国产设备商受益存储扩产 [146][147][148] 消费电子：压力与创新 - 存储涨价使安卓手机/PC产业链承压，出货量可能同比下滑，零部件利润率受挤压，苹果链受影响较小 [5] - 2026年折叠屏、AI/AR眼镜、OpenAI硬件等新品催化行业，苹果可能推出折叠屏及Apple Intelligence功能，AR产品拐点临近 [5][32]