核心观点 报告认为，AI创新周期是驱动电子行业发展的核心主线，叠加国产替代趋势，行业正进入新发展阶段[4][30][31]。报告建议沿AI创新周期布局新技术、新需求和新周期，并重点看好半导体存储、半导体测试设备和磁性元件三大方向[4][31]。 市场回顾 - 板块表现强劲：2025年初至2025年12月5日，电子行业指数（中信）上涨44.67%，跑赢沪深300指数（上涨20.00%）[3][13] - 基金持仓集中：2025年第三季度，基金持有电子行业总市值为9370.88亿元，占流通A股市值比重为5.07%，在申万一级行业中排名第二[3][20][25] - 持仓结构聚焦AI与国产替代：2025年Q3基金持仓市值前十的公司中，数字芯片设计标的占比达40%[21]；基金持仓市值/流通市值占比前十的公司（如茂莱光学、澜起科技、源杰科技等）多为深耕半导体核心赛道的公司，受益于AI创新周期与国产替代共振[3][24] 2026年度投资展望：掘金AI创新周期 1. 半导体存储：迎来上行周期，AI驱动供需失衡 - 核心驱动力：AI算力基础设施的爆发性需求是核心驱动力，AI服务器对DRAM的用量是普通服务器的8倍，NAND用量约为3倍[4][42]。2025年AI对存储的需求占比已高达40%[42] - 供需格局紧张： - 需求端：生成式AI驱动全球数据量激增，IDC预测2028年全球数据量将达394ZB，中国达100ZB[42]。AI推理应用普及增加了对“冷数据”和“温数据”的调用，推动大容量QLC SSD加速替代传统HDD[4][46][49] - 供给端：三大原厂（三星、SK海力士、美光）将产能优先分配给高利润的HBM和DDR5等领域，挤压了成熟制程产品产能，且全球库存已降至历史低位[4][36]。2026年DRAM新增产能有限，多数新产能需等到2027年底才能开出[54] - 价格进入超级周期：TrendForce预计2025年第四季DRAM价格涨幅上修至18-23%，NAND Flash合约价平均涨幅达5-10%[40]。部分DRAM与NAND产品报价涨幅超过40%[36]。预计到2027年全球存储市场规模将逼近3000亿美元[32] - HBM成为核心赛道：与传统内存相比，HBM具备超高带宽等优势。预计到2029年，HBM市场规模将增长至79.5亿美元，年复合增长率为25.86%[55] - 受益标的：存储模组（香农芯创、江波龙等）；存储芯片（兆易创新、澜起科技等）[4][58] 2. 半导体测试设备：受益AI芯片国产化，有望量价齐升 - 市场概况：2025年全球测试设备市场规模有望突破138亿美元[5]。SoC测试机占据约60%的市场份额，存储器测试机占据约21%[62] - AI驱动需求增长：AI芯片（如3nm GAA、Chiplet异构集成）和高性能存储（如HBM）的复杂度和测试时间显著提升，推动测试机市场“量价齐升”[5][66]。SEMI预测2025年测试设备销售额将增长23.2%达93亿美元，2026年达97.7亿美元[77] - 国产替代机遇：全球市场高度集中，爱德万2024年市场份额达58%[81]。随着华为昇腾、寒武纪等国产AI芯片加速突破，为本土测试设备商提供了替代契机[81]。国产厂商如长川科技（D9000 SoC测试机）、华峰测控（STS8600平台）、精智达（存储器测试）正加速突破高端领域[84] - 投资建议：推荐精智达，受益标的包括长川科技、华峰测控等[5][87] 3. 磁性元件：拥抱AI能源革命，受益供电架构升级 - 需求背景：AI服务器单机柜功率从传统数千瓦跃升至超100kW，传统交流供电架构面临效率低、空间占用大等挑战[6][88][90] - 技术路径：英伟达提出800V高压直流（HVDC）架构，并明确将固态变压器（SST）作为2027年量产方案[6][95]。SST采用“电力电子变换 + 高频磁元件”架构，效率可提升至98%[95] - 市场空间：SST方案中磁元件成本占比约15%-20%[6]。2025年固态变压器出货量约1GW[100]。AI服务器单台磁元件价值（1700-2800元）远高于普通服务器（250-350元）[105] - 行业增长动力：除SST配套需求外，算力网建设拉动服务器磁性元件规模增长，高效算力倒逼磁元件向高端化升级[6][104]。2024年中国磁性元件行业市场规模达71.9亿美元，占全球市场的31.90%[105] - 受益标的：可立克、京泉华、铭普光磁、顺络电子等[6][107]