报告投资评级 - 重申对三星电子和SK海力士的“买入”评级 [1] 报告核心观点 - 2026年第一季度DRAM价格预测被大幅上调，整体常规DRAM价格预计环比增长90-95%，高于高盛对三星电子和SK海力士的预测（环比增长77-82%）[1] - 2026年第一季度移动NAND（eMMC/UFS）合约价格环比增长55-65%，与高盛对整体NAND价格环比增长45-70%的预测基本一致[1] - 尽管消费电子需求处于淡季，但企业级固态硬盘和AI相关存储需求强劲，导致分配给智能手机/PC客户的产能有限，持续推动这些细分市场的价格上涨[9] 按产品类别总结 常规DRAM - 2026年第一季度常规DRAM价格预计环比增长90-95%（第四季度为环比增长45-50%），高于高盛对三星和海力士的预测（环比增长77-82%）[8] PC DRAM - 2026年第一季度PC DRAM合约价格预测上调至环比增长105-110%，2026年第二季度预测维持在环比增长20-25%[2] - 该预测高于高盛对三星和海力士的预测（2026年第一季度环比增长80-90%，2026年第二季度环比增长10-15%）[2] - 2026年1月，DDR4 8GB模组价格上涨83%至85美元，DDR5 8GB模组价格上涨90%至75美元，导致DDR5相对于DDR4的折价收窄至12%（12月为折价15%）[2] - 由于部分谈判在1月才结束，且供应商库存持续紧张，本季度剩余时间价格可能进一步上涨[2] 服务器DRAM - TrendForce将2026年第一季度/第二季度服务器DRAM合约价格预测上调至环比增长88-93%/20-25%[3] - 该预测略高于高盛对三星和海力士的预测（2026年第一季度环比增长75-80%，2026年第二季度环比增长10-15%）[3] - 2026年1月，DDR4 64GB模组价格上涨65%至738美元，DDR5 64GB模组价格上涨58%至807美元，导致DDR5相对于DDR4的溢价收窄至9%（12月为溢价14%）[3] - 尽管供应商将内存供应分配从PC/智能手机转向服务器，但供应仍然有限，北美和中国云服务提供商的需求仍未得到满足，因此供应商的定价能力保持强劲[3] 移动DRAM - TrendForce将2026年第一季度LPDDR5X价格预测上调至环比增长88-93%（此前为环比增长45-50%）[4] - 该预测高于高盛对三星/海力士在2026年第一季度的预测（环比增长75-80%）[4][7] - 来自服务器客户的强劲内存需求正在扩大包括移动DRAM在内的其他应用领域的供需缺口[4] NAND闪存 - 2026年第一季度移动NAND（eMMC/UFS）合约价格环比增长55-65%[9] - 该数据与高盛对整体NAND价格环比增长45-70%的预测基本一致[1][9] 价格数据与趋势 - 2026年1月DDR5 8GB PC模组合约价格相对于DDR4模组的折价为12%[12] - 2026年1月DDR5 64GB服务器模组合约价格相对于DDR4模组的溢价环比下降5个百分点至9%[14] - DDR5 16Gb现货价格相对于最新合约价格的溢价为28%[11] - DDR4 8Gb现货价格相对于最新合约价格的溢价为129%[19] 目标价格 - 对三星电子普通股基于2026年预期EV/EBITDA的12个月目标价为205,000韩元[16] - 对三星电子优先股基于22%折价的12个月目标价为159,000韩元[16] - 对SK海力士基于2026/2027年平均市净率并给予30% AI溢价的12个月目标价为1,200,000韩元[20]