投资逻辑与行业观点 - 受益于AI基础设施建设周期，内存和存储行业将迎来量价齐升的快速增长期，HBM和企业级高容量SSD需求呈指数级爆发[6] - 投资DRAM ETF被视为投资存储行业的确定性Beta，可规避个股良率、新产品及市场竞争风险[6] - ETF管理费率为0.65%，预计仅在季度再平衡时进行换手[7] ETF结构与持仓 - Roundhill内存ETF（DRAM）于2026年4月2日开始交易，是首只存储行业主动ETF[7] - 前三大持仓SK海力士、美光（通过互换协议持有）及三星电子合计权重约73%[8] - 具体持仓权重：SK海力士26.27%，美光23.75%，三星电子23.49%[9] 交易与风险 - ETF溢价率当前为1.5%，收盘后净值折溢价会收敛至极低水平，不会出现5%-10%的单边溢价损耗[12] - 主要风险包括行业周期风险、AI需求不确定性风险以及扩产不及预期风险[13] - ETF股价为35.07美元，52周价格区间为26.14美元至35.97美元[6][11]