行业投资评级 - 行业评级为“强于大市” [7] 报告核心观点 - 进入Agent阶段后，人工智能上下文窗口的扩张推高了KV Cache的用量，从而带动了存储需求增长 [2][3] - 由于KV Cache规模已超出高速存储介质的承载能力，存储架构需向分级布局演进，为HBM、DRAM和NAND带来结构性增长机遇 [4] - 看好海外存储产业链的发展机遇，建议关注SK海力士、三星和美光等主要存储厂商 [6] 需求框架 - Agent时代上下文扩张导致KV Cache膨胀，是拉动存储需求的核心驱动力 [2] - 在人工智能推理场景中，为加速模型响应并避免重复计算，系统需将KV Cache保留在高速存储中 [3] - 随着上下文窗口急剧扩大，KV Cache的规模已“远远超出了HBM和DRAM的承载能力” [3] 分级存储架构 - 由于KV Cache和上下文数据规模超出单一介质承载能力，存储架构需按数据访问频率分级布局 [4] - 第一层为HBM，紧贴GPU、速度最快，用于承载活跃的KV Cache，但其典型容量较小，需要向外层存储溢出 [4] - 第二层为DRAM，连接至CPU，容量通常是HBM的“数倍”，作为HBM外溢KV Cache的二级承接层 [4] - 第三层为基于NAND颗粒的SSD，用于承载历史KV Cache及数据湖的海量数据存储，其容量可达HBM的“千倍左右” [4] 竞争格局 - SK海力士深度绑定台积电，其HBM4的核心芯片采用1b DRAM，基底裸片采用台积电12纳米工艺 [5] - 三星具备自有晶圆厂优势，其核心芯片采用1c DRAM，基底裸片采用自家代工4纳米工艺，传输速度可达11.7Gbps [5] - 美光占据北美本土供应优势，作为三大存储厂商中唯一的北美厂商，计划将约40%的DRAM产能落地美国本土 [5] - 美光近日发布其HBM4产品，带宽是上一代HBM3e的“两倍以上”，并正率先在业内挑战图形内存（GDDR）堆叠技术以提升性能 [5] 投资建议 - 报告看好海外存储产业链发展机遇 [6] - 建议关注SK海力士、三星和美光等厂商的存储供应价值 [6]