报告投资评级 * 报告未明确给出对SK海力士（000660.KS）的股票投资评级 报告核心观点 * AI基础设施投资扩张驱动存储芯片需求旺盛，叠加供给紧张，推动DRAM和NAND价格持续上涨，使SK海力士在26Q2业绩再创新高[1][15] * 公司已与约10家客户签订多年长期供货协议（LTA），以保障中长期供应稳定和需求可见性，并计划通过资本开支扩张产能以把握AI时代的结构性增长机会[3][4][21][23] * HBM4已开始量产，HBM4E已送样，公司在HBM领域的技术领先、量产能力和客户信任构成核心竞争壁垒，旨在维持市场领导地位[4][22][31] * 常规DRAM价格大幅上涨可能影响2027年HBM价格谈判，但HBM定价综合考虑技术复杂度、资源投入及客户价值等多重因素[4][33] 26Q2业绩表现总结 * 营收与利润：26Q2收入79.32万亿韩元，同比增长257%，环比增长51%；营业利润60.54万亿韩元，同比增长557%，环比增长61%[1] * 盈利能力：毛利率为83%，同比提升29个百分点，环比提升4个百分点；营业利润率高达76%，创历史新高[1][17] * DRAM业务：比特出货量环比增长高个位数（high-single%），平均销售价格（ASP）环比上涨约30%[2] * NAND业务：比特出货量环比增长百分之十几（mid-teens%），ASP环比增长百分之五十几（mid-50%）；企业级SSD营收环比翻倍，其中Solidigm品牌30TB及以上大容量产品营收环比增长超三倍[2][16] 市场展望与需求分析 * 需求驱动力：AI技术向智能体（Agentic AI）演进并渗透至各类服务，持续拓宽存储芯片需求边界，推动HBM、服务器DRAM和高性能企业级SSD需求同步增长[19] * 需求预测：预计DRAM市场需求增速约为25%，NAND闪存需求增速约为15%-19%[20] * 供给格局：由于HBM等先进产品工艺复杂且新产线建设周期长，存储芯片供需偏紧的格局预计将长期延续[20] 公司业务与产品规划 * HBM路线图： * HBM4：已于26Q2启动量产出货，良率和品质已接近成熟的HBM3E水平，下半年将全面爬坡[4][22] * HBM4E：已于上半年向头部客户送样，目标于2027年开始量产[4][22] * 下一代技术：正在开发用于HBM5的集成散热（IHBM）技术，预计可将热阻降低30%以上[4][31] * DRAM路线图：基于1C纳米工艺的服务器内存模组（SOCAMM2）已于26Q2全面供货，公司将加速向先进制程切换，聚焦大容量、高性能产品[3][23] * NAND路线图：321层NAND产品已成为主力产出品类，公司计划在2026年年底前将韩国本土产能中该产品的占比提升至50%[3][23] * 出货量指引：预计26Q3 DRAM比特出货量环比增长约10%，NAND比特出货量环比增长低个位数（low-single%）[3][22] 资本开支与产能布局 * 资本开支计划：2026年全年资本支出预计处于40万亿韩元以上区间（high-40万亿韩元）[3][24] * 产能扩张举措：为提升供给响应速度，将提前清州M15X工厂量产时间表；龙仁Fab1洁净室将于2027年初启用；将扩建PMD7产线以强化先进封装能力，并新建NAND生产基地M17[3][23][24] 财务与资本管理 * 现金流状况：期末现金及现金等价物为88万亿韩元，较上季度末增加33.6万亿韩元；净现金规模增至69.4万亿韩元[18] * 股东回报：公司表示正在研究额外的股东回报措施，并计划在年内公布相关方案[3][26][38] * ADR发行：公司ADR已于2026年7月10日在纳斯达克上市，此次发行是美国资本市场史上规模最大的境外企业IPO项目[25]