报告的核心观点 - NAND Flash价格相对平稳,预计Q2合约价格将上涨15-20% [1] - DRAM价格小幅波动,部分产品价格仍有需求支撑,预计Q2合约价格将上涨13-18% [1] - SK海力士与台积电已敲定下一代HBM的合作量产计划,SK海力士将通过台积电7nm制程制造HBM4基片 [1][6][7] 根据目录分别总结 1. 存储芯片周度价格跟踪 - NAND中大容量和中小容量现货价格相对平稳 [1][5] - NAND Wafer中大容量现货价格有所上涨 [1][3][4] - DRAM中大容量和中小容量现货价格小幅波动 [1][5][6] 2. 行业新闻 - HBM对原厂产能的直接挤占效应,导致通用型DRAM产品供应受限 [6] - SK海力士宣布将在2025年下半年生产HBM4 12层产品,比原计划提前一年 [6][7] - 三星预告HBM3E 12层产品将在第二季度内量产 [6] - 手机终端销量增长面临挑战,导致二季度存储合约价格谈判艰难 [8][9] 3. 公司动态 - 兆易创新预计DRAM价格将持续温和上涨 [11] - 澜起科技表示DDR5内存接口芯片单价明显提升,预计今年年中下游渗透率可能超过50% [12] - 东芯股份的NORFlash使用etox技术 [13] - 普冉股份表示市场已经显示出周期性变化的趋势 [14] 4. 公司公告 - 兆易创新、东芯股份等公司发布股权激励计划 [16] - 华海诚科拟减持不超过3%的股份 [16] - 万润科技有1097.15万股限售股将解禁 [16] - 北京君正发布限制性股票激励计划 [16] 5. 风险提示 - 中美贸易摩擦加剧 [17] - 下游终端需求不及预期 [18] - 国产替代不及预期 [19]