美光科技1γ节点DRAM技术突破 - 美光开始出货采用第六代1γ节点DRAM技术的DDR5内存样品 这是业界首次采用该节点发运产品 [1] - 1γ节点相比上一代1β节点速度提升15% 功耗降低20%以上 位密度提高30%以上 [1] - 功耗降低通过HKMG和电路设计改进实现 位密度提升主要得益于首次引入EUV光刻技术 [1] 技术细节与市场背景 - 数据中心内存需求预计2028年前三年内翻倍 2030年数据中心电力消耗将占全球8%以上 [1] - 美光DRAM开发在美国爱达荷州和日本广岛进行 制造基地分布在美国 台湾和弗吉尼亚州 [1] - 1γ节点开发在广岛完成 样品制造在引进EUV技术的台湾工厂进行 [1] 美光技术路线与战略 - 公司此前已率先推出1α和1β节点 从1β开始采用HKMG技术 [2] - 针对1γ节点首次引入EUV光刻工具 但仅在必需工序使用以平衡成本和生产效率 [2] - 公司认为DRAM技术发展正面临转折点 未来技术方向尚不明确 [2] - 美光强调保持技术领导地位的重要性 认为一旦落后可能需要10年才能重新领先 [2]