HBM技术发展现状 - SK海力士在GTC 2025展出了用于AI服务器的12层HBM3E设备，并透露已完成2025年下半年量产的准备工作[1] - 美光科技表示其HBM芯片在AI和HPC应用需求非常强劲，2025年HBM芯片已售罄[1] - HBM采用3D结构将DRAM芯片垂直堆叠在逻辑芯片顶部，利用TSV等先进封装技术，适合HPC/AI工作负载[3] - HBM可同时处理GPU或AI加速器中各核心的多内存需求，支持并行处理，是消除AI工作负载内存瓶颈的主要手段[3] 主要厂商动态 - SK海力士表示由于内存产品需求强劲及HBM4样品提前交付，前景光明[5] - SK海力士即将完成2026年HBM销售谈判，预计明年所有HBM产品将在出厂前售出[5] - SK海力士已出货12层HBM4首批样品，目标2025年下半年完成量产准备[6] - 12层HBM4设计数据处理速度超2TB/s，比HBM3E快60%以上[6] 市场需求与预测 - 近期订单激增，厂商希望赶在美国对进口半导体加征关税前完成订单[5] - SK海力士预计HBM销售将出现"爆炸式"增长[6] - IDTechEx预测到2035年HBM销量将比2024年增长15倍[7] - HBM作为突破AI处理器内存障碍的技术，预计2025年后需求将持续[9] 技术演进趋势 - 当前HBM3E使用微凸块和底部填充热压缩集成DRAM芯片[7] - 主要厂商正向HBM4过渡，采用混合键合和Cu-Cu键合等先进封装技术[7] - 新一代技术将实现更高I/O能力、更低功耗、更好散热和更小电极尺寸[7]